Модуляция - толщина - база
Cтраница 1
Модуляция толщины базы при этом уменьшается и воздействие коллекторного тока на эмиттер ослабевает. [1]
Модуляции толщины базы напряжением эмиттера практически не происходит, так как из-за малого сопротивления отпертого перехода переменная составляющая напряжения эмиттерного перехода много меньше, чем коллекторного. [2]
 |
Обедненные слои в транзисторе и потенциальная диаграмма. [3] |
Модуляция толщины базы объясняет некоторый подъем выходных характеристик при увеличении отрицательного напряжения коллектор-база. Коллекторный ток при этом увеличивается, так как меньшая часть дырок теряется в базе на пути от эмиттера к коллектору вследствие рекомбинации с электронами. [4]
Модуляция толщины базы изменяет количество дырок, реком-бинирующих при передвижении от эмиттера к коллектору. Это приводит к зависимости коэффициента переноса Р, а следовательно, и коэффициента передачи тока эмиттера а от напряжения на коллекторном переходе. [5]
Модуляция толщины базы в биполярном транзисторе), или эффект Эрли, - изменение толщины базы при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. При увеличении обратного напряжения электроны в n - области и дырки в р-об-ласти сильнее оттягиваются отр-п-пе-рехода и толщина запирающего слоя возрастает. Распространение границы запирающего слоя в область базы приводит к уменьшению толщины рабочей части базовой области. [6]
 |
Эквивалентная схема идеализм-рованного транзистора. [7] |
В-третьих, модуляция толщины базы меняет время диффузии дырок через базу; тем самым коллекторное напряжение влияет на частотные свойства транзистора. [8]
В фототранзисторах модуляция толщины базы приводит к модуляции фототока коллекторного перехода гфк. Следовательно, в фототранзисторах при засветке возникает добавочная проводимость коллектора. [9]
Когда эффект модуляции толщины базы не принимается в расчет - 0, оба граничных условия совпадают. [10]
Это является следствием модуляции толщины базы. [11]
Таким образом, учет модуляции толщины базы позволяет получить правильное значение для дифференциального сопротивления коллектора, хорошо согласующееся с опытом. [12]
В реальных триодах за счет модуляции толщины базы значения / С редко превышают 104, поэтому все указанные выше изменения в эквивалентной схеме можно считать связанными только с этим эффектом. [13]
Проводимость, обусловленную утечкой и модуляцией толщины базы, следует учитывать только при отрицательных смещениях на переходе. [14]
Внутренняя обратная связь в транзисторе вследствие модуляции толщины базы определяется изменениями напряжения на коллекторе, равными по абсолютной величине приращениям напряжения на нагрузке. [15]
Страницы: 1 2 3 4