Cтраница 1
Модуляция ширины базы впервые была исследована Эрли. [1]
Модуляция ширины базы ( в транзисторе), или эффект Эрли, - изменение ширины базы при изменении величины обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. При увеличении обратного напряжения электроны в п-области и дырки в р-области сильнее оттягиваются от р-п перехода и толщина запорного слоя возрастает. Распространение границы запорного слоя в область базы приводит к уменьшению ширины рабочей части базовой области. [2]
Модуляцией ширины базы называется изменение эффективной ширины базы из-за изменений ширины потенциального барьера на коллекторном переходе, вызванных увеличением или уменьшением коллекторного напряжения. При очень больших коллекторных напряжениях наблюдается резкое увеличение тока коллектора, что означает начало электрического пробоя коллекторного перехода. Дальнейшее повышение коллекторного напряжения недопустимо. [3]
Этот наклон характеристик обусловлен влиянием эффекта модуляции ширины базы. [4]
Таким образом, можно заключить, что эффект модуляции ширины базы не оказывает практического воздействия на величину выходной проводимости транзистора, работающего в микрорежиме, и поэтому величина выходной проводимости должна быть весьма небольшой. [5]
Определим количественно величину сопротивления гк, учитывая лишь эффект модуляции ширины базы. Будем считать, что запорный слой коллекторного перехода полностью сосредоточен в базовой области. [6]
К причине, рассмотренной для идеализированного транзистора, добавляется влияние эффекта модуляции ширины базы. [7]
Коэффициент передачи BN изменяется с изменением напряжения на коллекторном переходе, что объясняется модуляцией ширины базы. [8]
При помощи диффузионной емкости коллектора Ск д учитывают изменение заряда в базе, обусловленное модуляцией ширины базы. [9]
Поскольку в микрорежиме при расчете входного сопротивления вполне допустимо пренебрежение величиной сопротивления базы, можно полагать, что эффект модуляции ширины базы не оказывает существенного влияния на величину входного сопротивления. [10]
Напряжение смыкания ( у транзисторов) - величина обратного напряжения на коллекторном переходе, при которой из-за расширения обедненного слоя ( см. Модуляция ширины базы) происходит смыкание обедненных слоев коллекторного и эмиттерного переходов и нормально разделяющая их нейтральная область базы исчезает. Однако само по себе смыкание обедненных слоев не приводит к необратимым изменениям свойств транзистора, и после снижения напряжения на коллекторном переходе работоспособность транзистора восстанавливается. [11]
В режиме насыщения ( С / кв 0) на величину смещения реальной характеристики в сторону меньших токов / э также влияет эффект модуляции ширины базы. [12]
Множитель dW [ dUK, который встречается в выраже-аии для / С, данном уравнением ( 8.44 д), является важным, когда рассматривается модуляция ширины базы. [13]
Вольт-амперные характеристики реального транзистора отличаются от соответствующих вольт-амперных характеристик идеализированной модели за счет влияния объемного сопротивления материала областей транзистора, поверхностных утечек р-л-пере-ходов, эффекта модуляции ширины базы, процессов рекомбинации-генерации в слое объемного заряда и ряда других факторов. В первом приближении учет влияния указанных факторов на поведение вольт-амперных характеристик реального транзистора может быть осуществлен введением в эквивалентную схему идеализированной модели транзистора рис. 1 - 6 сопротивлений г3, гк и Гб, вклкуенных последовательно с электродами идеализированной модели, и сопротивлений гэб, и rKg, включенных параллельно р-п-переходам. [14]
В результате этого в эквивалентной схеме появляется нелинейная характеристика, которая значительно усложняет схему. Следовательно, необходимо так видоизменить эквивалентную схему, чтобы модуляция ширины базы не вводила в нее нелинейных элементов. Это может быть осуществлено только приблизительно, так как цепь, имеющая линейную характеристику, не может быть составлена только из линейных элементов. [15]