Внутренняя модуляция
Cтраница 1
 |
Схема модулятора, использующего эффект Поккельса. [1] |
Внутренняя модуляция в лазерах связана с воздействием модулирующего сигнала на процесс генерации. При этом воздействие осуществляется либо на накачку, либо на параметры оптического резонатора лазера - его оптическую длину, добротность или величину обратной связи. Любой фазовый модулятор, помещенный в резонатор лазера, способен управлять оптическими размерами резонатора, любой амплитудный модулятор - добротностью. [2]
Внутренняя модуляция излучения может быть получена изменением мощности накачки. Практически такая модуляция осуществляется включением и выключением источника накачки в твердом генераторе, в котором прямоугольные импульсы от источника накачки подаются на активное вещество. [3]
 |
Схема модулятора, использующего эффект Поккельса. [4] |
Иногда внутренняя модуляция сопровождается нежелательными явлениями. Так, при изменении мощности накачки полупроводниковых диодных лазеров меняется и ширина спектральной линии. [5]
 |
Структурная схема приемника с тональной модуляцией для слухового приема телеграфных сигналов. [6] |
Способ внутренней модуляции оправдывает себя тогда, когда нестабильность частоты в радиолинии значительна, полоса пропускания достаточно широка и отсутствуют помехи. Если же кроме сигнала в полосу пропускания попадает помеха, она модулируется той же самой тональной частотой, что и сигнал, и отличить их друг от друга по тону на выходе приемника невозможно. Это свидетельствует о низкой помехоустойчивости. [7]
При внутренней модуляции излучения измеряемый параметр ( напряжение или ток) масштабируется с помощью согласующих устройств и воздействует на источник излучения. [8]
Под внутренней модуляцией понимается воздействие измеряемого параметра на излучение в самом источнике света, под внешней - воздействие измеряемого параметра на излучение вне источника света. [9]
 |
Структурная схема электрооптического модулятора. [10] |
Возможна и внутренняя модуляция, которая осуществляется в самом лазере, путем изменения параметров лазерного активного элемента или резонатора. Внутренняя модуляция в полупроводниковых лазерах осуществляется за счет изменения режима накачки. В газовых лазерах внутренняя модуляция возможна за счет изменения добротности оптического резонатора. Следует подчеркнуть, что объединение в одном устройстве генерации и модуляции, как правило, ухудшает параметры лазерного излучения. Возникают побочные эффекты, которые приводят к снижению когерентности излучения. В полупроводниковых лазерах, у которых внутреннее управление интенсивностью излучения наиболее просто и эффективно, внутренняя модуляция обычно вызывает рост порога генерации, ухудшение модового состава излучения. [11]
Эффективным методом внутренней модуляции импульсных ОКГ является модуляция добротности, или Q-модуляция. Для этого в резонатор ОКГ вводится специальный затвор, который периодически скачкообразно изменяет добротность резонатора. Когда добротность резонатора мала, генерации нет, и под влиянием энергии накачки на верхнем уровне накапливаются возбужденные частицы. При резком увеличении добротности генератор самовозбуждается и излучает очень мощный кратковременный ( гигантский) импульс длительностью в несколько десятков наносекунд. [12]
Частота источника внутренней модуляции равна 400 гц. Предусмотрена возможность модуляции от внешнего источника с частотой от 50 до 8 000 гц. [13]
Частота источника внутренней модуляции равна 400 гц. Предусмотрена возможность модуляции от внешнего источника с частотой от 50 до 8 000 гц. [14]
В режиме внутренней модуляции меандром включается генератор меандра, импульсы которого с частотой повторения 1 кГц подаются на модулятор. При подаче импульса меандр на вход модулятора на его выходе формируется импульс, необходимый для подачи на р - i-п-моду - лятор. Этот импульс компенсирует напряжение питания, затухание сигнала в р - ( - n - модуляторе уменьшается, и СВЧ сигнал проходит на выходной разъем прибора. [15]
Страницы: 1 2 3 4