Входная динамическая емкость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Коэффициент интеллектуального развития коллектива равен низшему коэффициенту участника коллектива, поделенному на количество членов коллектива. Законы Мерфи (еще...)

Входная динамическая емкость

Cтраница 3


Добротность реостатного каскада на полевом транзисторе, нагруженного на такой же каскад, значительно меньше добротности аналогичного лампового каскада из-за относительно малой крутизны характеристики тока стека и большой входной динамической емкости следующего каскада.  [31]

Обычно в подобном генераторе контур состоит из катушки индуктивности L и паразитной емкости схемы С0, включающей в себя собственную емкость катушки CL, выходную емкость триода Свых, входную динамическую емкость последующего каскада Свх и емкость монтажа.  [32]

В этом случае слагаемое СаС1 ( 1 - Ь АГ0) в выражении ( 9 - 143) значительно меньше емкости 7С1К, и его можно не учитывать. Входная динамическая емкость пентода в импульсном усилителе мало отличается от приводимой в справочнике входной статической емкости.  [33]

На рис. 3.20 представлена схема лампового ключа с учетом паразитных емкостей. Емкость Сг включает в себя входную динамическую емкость лампы и монтажную емкость. Величина Сх в ключах на пентодах обычно составляет единицы пикофарад. Емкость С2 определяется межэлектродной емкостью анод-катод, монтажной емкостью, а также емкостью нагрузки, подключаемой к выходу ключа. Величина этой емкости зависит от вида нагрузки и может достигать десятков пикофарад.  [34]

Модель, изображенная на рис. 18.5, д, пригодна для анализа усилителей на полевых транзисторах. В последних также наибольший вклад в Сэ вносит входная динамическая емкость.  [35]

36 Реостатный каскад с параллельной высокочастотной коррекцией. [36]

Со, можно сильно расширить полосу усиливаемых каскадом частот и даже получить подъем частотной характеристики на верхних частотах. В транзисторном усилителе параллельная высокочастотная коррекция действует точно так же; здесь емкость С0 практически равна входной динамической емкости транзистора следующего каскада.  [37]

38 Принципиальная схема эмиттерного повторителя, нагруженного на проводимостьК ( вспомогательные цепи не показаны. [38]

Ценные качества каскада, имеющего цепь отрицательной обратной связи, позволяют эффективно использовать эмиттерный повторитель в качестве согласующего звена ( см. гл. Сочетание эмиттерного повторителя ( в качестве первого каскада) с каскадом, характеризующимся относительно большим усилением и соответственно большой входной динамической емкостью, дает возможность создать усилительную секцию, отличающуюся высокими качественными показателями. Малое выходное сопротивление эмиттерного повторителя способствует уменьшению влияния входной емкости второго каскада на параметры усилительной секции.  [39]

Источником сигнала для межкаскадного трансформатора является выходная цепь усилительного элемента рассчитываемого каскада, а нагрузкой вторичной обмотки - входная цепь усилительного элемента следующего каскада. В ламповом усилителе нагрузкой вторичной обмотки межкаскадного трансформатора является входное сопротивление лампы следующего каскада, практически равное сопротивлению ее входной динамической емкости, а также сопротивление шунта R2, иногда подключаемого параллельно вторичной обмотке трансформатора. В транзисторном усилителе нагрузкой вторичной обмотки межкаскадного трансформатора является входное сопротивление транзистора следующего каскада, практически активное в диапазоне звуковых частот.  [40]

Электронная лампа, включенная с общим катодом, дает большое усиление как тока, так и напряжения сигнала. Входное сопротивление лампы при таком включении и отсутствии сеточных токов очень велико; практически оно определяется сопротивлением переменному току входной динамической емкости лампы Свх.  [41]

Емкость Сса пентода имеет порядок сотых долей пикофарады и поэтому практически, даже при большом коэффициенте усиления каскада, не влияет на величину входной емкости лампы. Аналогичная емкость затвор - сток полевого транзистора имеет существенно большую величину, определяемую единицами пикофарад, в связи с чем входная динамическая емкость полевого транзистора значительна и тем больше, чем больше коэффициент усиления каскада. Из этого следует, что обычный некорректированный каскад с общим истоком при / С0 1 оказывает своей входной емкостью большое влияние на параметры предшествующего каскада и сам испытывает аналогичное влияние со стороны такого же следующего каскада.  [42]

Выбрав La так, чтобы резонанс имел место там, где частотная характеристика реостатного каскада падает из-за влияния С0, можно сильно расширить полосу усиливаемых каскадом частот и даже получить подъем частотной характеристики на верхних частотах. В транзисторном усилителе параллельная высокочастотная коррекция действует точно так же; здесь емкость Со образуется выходной емкостью транзистора рассчитываемого каскада н входной динамической емкостью следующего.  [43]

Физически указанный результат достигается тем, что одному из каскадов пары предназначается вспомогательная функция, а параметры его выбираются так, что этот каскад, не усиливая сам и не внося заметных искажений, вместе с тем создает условия, благоприятствующие эффективной работе другого каскада пары. Действительно, если, например, активное сопротивление нагрузки вспомогательного каскада с общим истоком выполнить малым и таким, что его коэффициент усиления будет близким к единице, то, следовательно, компонента его входной динамической емкости СасК0 Сзс. Это позволяет поднять добротность предшествующего каскада. Что же касается времени установления вспомогательного каскада, то в связи с малым сопротивлением его нагрузки оно не будет значительным. Таким образом, в принципе, усилительную секцию можно образовать из пары каскадов с общим истоком, однако лучшие результаты можно получить применением комбинированной пары каскадов общий исток - общий сток.  [44]

Если RBX Посл Z RK, то при нижнем положении движка результирующая входная емкость последующего каскада Свх поел подключена параллельно всему сопротивлению RK, и высокочастотные искажения ( завал высших частот) в каскаде на транзисторе Т будут наибольшими и при перемещении движка вверх будут уменьшаться. Если сопротивление Rвх посл одного порядка с RK, то при нижнем положении движка результирующее активное сопротивление коллекторной нагрузки будет наименьшим. Поэтому входная динамическая емкость каскада на транзисторе Т также будет наименьшей, и, следовательно, несмотря на большое влияние емкости нагрузки Свх Посл, завал высших частот может оказаться наименьшим и будет увеличиваться при перемещении движка вверх.  [45]



Страницы:      1    2    3    4