Молекула - примесь
Cтраница 1
Молекулы примесей имеют тенденцию откладываться во время роста кристалла, и маловероятно, что они будут распределяться в нем равномерно. Они могут располагаться вблизи или в стороне от линии дислокации в зависимости от того, уменьшает или увеличивает их присутствие энергию напряжения. Примеси могут соответственно способствовать или не способствовать имеющему место направленному травлению. Примеси в растворе, в котором происходит травление, адсорбируясь на поверхности, могут оказывать влияние на кинетику развития ступеней. [1]
Если молекулы примеси находятся в поляризующейся среде, то в оператор энергии взаимодействия и его матричный элемент должны быть внесены соответствующие коррективы. Такое заключение, однако, было бы не вполне правильным, хотя оно и отвечает известному результату, полученному в рамках феноменологических уравнений Максвелла. [2]
Поток молекул примеси, диффундирующих через единицу площади за единицу времени, прямо пропорционален градиенту концентрации. [3]
Переход молекул примеси в вакансии слоя Г может приводить к локальной деформации кристаллической решетки вокруг узла, занятого примесью. Чем больше такая деформация, тем меньше время пребывания молекулы примеси в слое Г и концентрация примеси в этом слое. В этом случае в слое Г образуется как бы комплекс примеси с вакансией. Заполнение вакансии, находящейся около молекулы примеси, молекулой кристаллизанта, перемещающейся из слоя Панета, эквивалентно распаду такого комплекса. [4]
 |
Зависимость поверхностной электрической проводимости полимеров при влажности воздуха 95 3 % от угла смачивания водой. [5] |
Подвижность молекул примесей и ионов в полимерах существенно зависит от характера теплового движения макромолекул. Поэтому все факторы, приводящие к интенсификации теплового движения в полимерах, сопровождаются ростом электрической проводимости. [6]
Энергия испарения молекул примеси из чистого компонента /, L, и твердого раствора / тв, LTB ( x 0 01 мольн. [7]
Поток, молекул примеси, диффундирующих через единицу площади за единицу времени, прямо пропорционален градиенту концентрации. [8]
Энергетические уровни молекул примесей располагаются в запрещенной зоне полупроводника. При изготовлении электронных полупроводниковых приборов применяют такие примеси, энергетические уровни которых располагаются или вблизи зоны проводимости, или вблизи заполненной зоны. В полупроводниках с примесями первого типа ( рис. 3 - 6 а), называемыми донорами, перенос электронов с донорного уровня в зону проводимости требует значительно меньшей энергии AQei по сравнению с энергией переноса электрона с основного энергетического уровня в зону проводимости. Следовательно, при наличии в полупроводнике донорной примеси вероятность переноса электронов в зону проводимости зна-чительно повышается. При температуре Т0 К акцепторные уровни не заполнены, следовательно, на них могут переходить электроны из основной заполненной зоны полупроводника. Этот переход может осуществляться также за счет небольшого приращения энергии AQe2 электронов, расположенных на основных уровнях заполненной зоны. При переходе электрона на акцепторный уровень в заполненной зоне появляется незанятый ( свободный) уровень, который принято называть электронной дыркой. [9]
При условии (9.2.11) молекула примеси, перешедшая из среды в твердую фазу, исключается из межфазового массообмена. [10]
Как правило, молекулы примеси в растворе образуют пространственно неупорядоченную систему. Поэтому энергия возбуждения примеси и энергия ее резонансного взаимодействия с окружением оказываются случайными величинами, вообще говоря, различными для разных примесных центров. [11]
В процессах столкновения молекулы примесей отбирают большую часть энергии у возбужденных атомов инертного газа, вследствие чего возбужденные атомы инертного газа теряют возможность излучить ионизирующие кванты ультрафиолетового излучения или выбить вторичные электроны при падении на катод. Часто к инертным газам вместо вышеперечисленных примесей добавляют пары органических веществ, которые, как уже упоминалось, поглощают фотоны, сокращая время послесвечения. [12]
Примером двойственного действия молекул примеси может служить действие иода. Молекула J2 нередко оказывается замедлителем, так как вследствие слабости связи J - J радикалы цепи легко с ним реагируют, а получающиеся атомы J оказываются малоактивными и неспособными оторвать тот или иной атом Н от молекулы исходного вещества. Поэтому иод тормозит реакции полимеризации окисления и хлорирования при невысоких температурах. С другой стороны, вследствие малой энергии связи J - J, иод легко диссоциирует на атомы J, которые при высокой температуре могут отрывать атом Н от молекулы RH, если связь R - Н не слишком прочна. Таким образом, зарождаются радикалы цепи R и реакция ускоряется. [13]
Примером двойственного действия молекул примеси может служить действие иода. [14]
 |
Ионизационный детектор Дове. [15] |
Страницы: 1 2 3 4