Входная емкость

Cтраница 3

Входная емкость СВК - емкость управляющей сетки относительно других электродов, на которых при работе лампы отсутствует напряжение частоты сигнала, приложенного к цепи управляющей сетки. В триодах - это емкость управляющей сетки относительно соединенных вместе катода и баллона лампы. Для пентодов входная емкость равна емкости управляющей сетки относительно соединенных между собой катода, баллона, второй и третьей сеток. [31]

Входная емкость Свх - емкость управляющей сетки относительно других электродов, на которых при работе лампы отсутствует напряжение частоты сигнала, приложенного к цепи управляющей сетки. В триодах - это емкость управляющей сетки относительно соединенных вместе катода и баллона лампы. Для пентодов входная емкость равна емкости управляющей сетки относительно соединенных между собой катода, баллона, второй и третьей сеток. [32]

Экранировка ножки миниатюрного пентода.| Конструкция анодов для высокочастотных пентодов с малой выходной емкостью. [33]

Входная емкость пентода может быть несколько снижена за счет увеличения расстояния между первой и второй сетками. Так как такая возможность ограничена задаваемым обычно значением напряжения экранирующей сетки, то увеличение d 2 допустимо лишь за счет предельного увеличения шага намотки первой сетки при условии отсутствия островного эффекта и сохранения заданного коэффициента усиления по первой сетке. [34]

Входная емкость КМОП-мультиплексора небольшая, порядка 30 пФ, которая практически не вносит динамических погрешностей переключения. Динамические характеристики аналоговых коммутаторов определяются временем переключения, которое составляет сотни наносекунд. Под влиянием паразитных емкостей время установления коммутатора может существенно возрасти. [35]

Входная емкость MOSFET обычно составляет несколько нанофарад. В то же время полевым транзисторам малой мощности с допустимым током стока в несколько сотен миллиампер свойственна значительно меньшая емкость - несколько десятков пикофарад. [36]

Входная емкость Свх обусловливает погрешности измерения напряжений на высоких частотах и длительности фронта ( среза) импульсов. [37]

Входная емкость модулятора Тг со стороны базы приблизительно равна сумме емкости эмиттерного перехода и коллекторной емкости, умноженной на усиление по напряжению. Если усиление изменяется вследствие модуляции рабочей точки транзистора, входная емкость также меняется, чем и достигается частотная модуляция. На частоте 772 кгц получается частотный сдвиг 420 кгц с неплохой линейностью. [38]

Схемы устройства трубок с радиальным отклонением луча. [39]

Входные емкости отклоняющих пластин ( измеренные на выводах цоколя или ножки) составляют несколько пикофарад, что обеспечивает возможность использования трубок на частотах до 10 МГц без заметных фазовых искажений. [40]

Входная емкость высокочастотного пентода слагается из емкостей управляющая сетка-катод Cgl, управляющая сетка-экранирующая сетка CglgZ и емкости между держателями и выводами этих электродов Свх. Выходная емкость слагается из емкости анод - катод Cok, анод-экранирующая сетка Cag. [41]

Входная емкость дампы Свх является статической емкостью управляющей сетки по отношению к тем - электродам, на которых в рабочем режиме лампы нет переменных потенциалов частоты напряжения, приложенного к цепи управляющей сетки. [42]

Входная емкость параллельной цепи не превышает 10 пф для номинальных напряжений от 10 лее до 3 в и не более 35 пф остальных напряжений. [43]

Входная емкость катодного повторителя на выходе сцинтилляционного счетчика равна 10 пф. Подсчитать заряд, приходящий в импульсе на коллектор и максимальный импульс напряжения ( при RC - oo) в следующих случаях: а) а-частица с энергией 10 Мэв останавливается в кристалле Nal ( T1); б) то же в кристалле антрацена; в) протон с энергией 10 Мае останавливается в кристалле Nal ( T1); г) то же в кристалле антрацена. [44]

Входная емкость измерительного прибора оказывает искажающее воздействие на значение ( уменьшает) и форму измеряемого сигнала. Особенно существенным является нагрузочное влияние входной емкости на измеряемый объект на высоких частотах. [45]

Страницы: 1 2 3 4