Входная емкость - следующий каскад
Cтраница 2
По литературным данным [46] среднее значение температурного коэффициента емкости монтажа, а следовательно, и входной емкости следующего каскада равно ЫО-2 % на ГС. [16]
При низкочастотных транзисторах ( Пб - П16 и др.), имеющих выходную емкость при общем эмиттере во много раз меньше входной емкости следующего каскада параллельная коррекция дает большее расширение полосы, чем последовательная; последовательная коррекция дает примерно те же результаты, что и параллельная лишь при высокочастотных транзисторах ( П401 - П411 и др.), имеющих большее отношение выходной емкости к входной. [17]
СМ СВХ сл, где Свых - выходная емкость транзистора рассматриваемого каскада; См - монтажная емкость; Свх сл - входная емкость следующего каскада. Наибольший вклад в С3 вносит емкость Свх сл. Эта емкость определяется выражением Ст сл С6э СкЯи, где С6э / ( 2nfpR63) - емкость перехода база - эмиттер; Ск - емкость коллекторного перехода; Ни - коэффициент усиления по напряжению следующего каскада. [18]
Для получения достаточно широкой полосы надо, чтобы была малая постоянная времени цепочки, образованной сопротивлением анодной нагрузки Rlf выходной емкостью лампы, входной емкостью следующего каскада и емкостью монтажа С. Из-за этой емкости фронты прямоугольных импульсов растягиваются. Этим ограничивается возможность увеличения анодной нагрузки RL и снижается коэффициент усиления каскада. Эффект растягивания фронтов связан с подавлением высокочастотных составляющих сигнала. [19]
При исследовании переходной цепочки помимо величин Cg и Rg необходимо учитывать также влияние паразитной емкости Св, которая, складываясь из емкости монтажа, емкости анод-катод предыдущей лампы и входной емкости следующего каскада, может достигать сравнительно больших величин порядка 30 - 60 пф. Эта емкость оказывает весьма существенное влияние на работу усилительного каскада главным образом в области высоких частот. [20]
Вот почему на рис. 10 - 5 цепь нагрузки представлена двумя элементами, подключенными между точками А и В, сопротивлением R и емкостью С, которые соответственно являются входным сопротивлением и входной емкостью следующего каскада. [21]
В высокочастотной модели каскада предварительного усиления междуэлектродные и монтажные емкости учтены в виде нагружающей каскад эквивалентной емкости Сэ Свых См Свх - сл, где Свых - выходная емкость транзистора рассматриваемого каскада; См - монтажная емкость; Свх сл - входная емкость следующего каскада. Наибольший вклад в Сэ вносит емкость Свх сл. [22]
Используя эквивалентную схему активного элемента и обобщенную схему для переменного тока, получим общую эквивалентную схему ЯС-каскада ( рис. 3.13 6), где Свых - выходная емкость активного элемента исследуемого каскада, См - емкость монтажа, a RBX, CBX - входное сопротивление и входная емкость следующего каскада. [23]
RI - внутреннее ( дифференциальное) сопротивление усилительного прибора. Входная емкость следующего каскада или нагрузки складывается из емкости монтажа, емкости нагрузки и проходной емкости прибора, увеличенной в ( К 1) раза, где К - коэффициент усиления каскада. [24]
Rti Rt - внутреннее ( дифференциальное) сопротивление усилительного прибора. Входная емкость следующего каскада или нагрузки складывается из емкости монтажа, емкости нагрузки и проходной емкости прибора, увеличенной в ( К - - 1) раза, где К - коэффициент усиления каскада. [25]
 |
Каскад с катодной на - анодной нагрузкой. Рассматривая грузкой схему катодного повторителя 28. [26] |
Учет входной емкости особенно важен при конструировании широкополосных усилителей. Выходная емкость первого каскада, емкость монтажа, а также входная емкость следующего каскада могут достигать в сумме величины 40 - 60 пф, что сильно ограничивает полосу пропускания усилителя. [27]
На эквивалентной схеме для высоких частот ( рис. 6.44, г) емкость С2 отсутствует, так как ее сопротивление на этих частотах близко к нулю. В основном здесь на коэффициент усиления влияет емкость цепи нагрузки Сн ли входная емкость следующего каскада, определяемая формулами (6.35), (6.43), (6.80) и (6.85), и выходная емкость Сси транзистора. [28]
 |
Широкополосные усилители. [29] |
На рис. 108, а показан широкополосный усилитель с параллельной высокочастотной коррекцией. Высокочастотная коррекция осуществляется с помощью параллельного колебательного контура, образованного катушкой индуктивности La и емкостью С0, состоящей из выходной емкости пентода и емкости монтажа, а также входной емкости следующего каскада. Резонансная частота контура находится в области высоких частот. [30]
Страницы: 1 2 3