Cтраница 3
Проведенное нами исследование инфракрасных спектров поглощения молекулярных соединений ряда молекул с А1С13, АШг3 и SnCl4 отчетливо выявило электроноакцепторный характер молекул галогенидов металлов. Действительно, изменение частот колебаний молекул при присоединении к ним А1С13, А1Вг3 и SnCl4 в ряде случаев оказывается таким же, как изменение частот этих молекул при взаимодействии их с протонными кислотами. [31]
![]() |
Строение электронной оболочки невозбужденного атома бериллия. [32] |
Исследования дифракции электронного пучка на молекулярном пучке галогенидов элементов второй группы, выполненные на химическом факультете МГУ, показали, что молекулы галогенидов линейны, то есть все три атома располагаются на отрезке прямой линии и, что обе связи Me-Hal равноценны. Здесь возникает вопрос о том, каким образом неравноценные по исходному состоянию электроны ( 2s и 2р) образуют равноценные химические связи. Этот вид гибридизации называют sp - гибридизацией. [33]
Менее прямой источник информации - исследование отклонения простых молекул в магнитном поле, которое показывает, в частности, что одни молекулы галогенидов АХ2 являются линейными, а другие - уголковыми ( см. гл. Интересное развитие инфракрасной спектроскопии состоит в конденсации частиц, присутствующих в паре при высоких температурах, на ( твердой) матрице благородного газа при очень низких температурах, что делает возможным исследование обычными методами молекул, которые недостаточно стабильны. [34]
В работах В. М. Татевского с соавторами [92,93] соотношение ( VIII, 1) применено к расчету межатомных расстояний, поляризуемости ионов и дипольным моментам молекул галогенидов различных элементов. [35]
Для всех молекул двухатомных галогенидов было предложено в связи с этим следующее правило [ 91: гибридизация с s - орбиталями атомов С1, Вг и I составляет 15 % во всех случаях, когда эти атомы связаны с атомом, менее электроотрицательным по крайней мере на 0 25 единиц шкалы электроотрицательности; в остальных случаях гибридизация принимается равной нулю. [36]
![]() |
Расположение ионов в трех кристаллах. В кристалле иодида лития иодид-ионы соприкасаются между собой. [37] |
Подобные эффекты, связанные с соотношением радиусов, не наблюдаются в молекулах газообразной фазы, например в случае Lil. Для всех молекул галогенидов щелочных металлов в газовой фазе, для которых расстояние между катионом и анионом было установлено методом микроволновой спектроскопии, оно составляет, как указано в табл. 6.3, приблизительно 86 % от суммы кристаллических ионных радиусов. [38]
Такую же координацию имеют молекулы галогенидов SF4, SeF4 и ТеС14 в газовой фазе. Например, в SF4 ( 69) вследствие отталкивания неподеленной пары две аксиальные связи сера - фтор слегка согнуты в направлении к двум экваториальным связям. Аксиальные связи ( 161 пм) значительно длиннее экваториальных ( 155 пм); обычно это связывают с различием а-орбиталей, используемых серой. [39]
![]() |
Форма и расположение sp - гибрйДных электронных облаков. [40] |
Таким образом, в молекуле ВеС12 оба атома хлора присоединяются одинаковыми sp - гибрядными орбиталями бериллия. Экспериментальные данные показывают, что молекулы галогенидов Be, Zn, Cd, Hg линейны и в них обе связи имеют одинаковую длину. [41]
В табл. 268 приведены результаты вычисления теплоты сублимации фтористого лития на основании измерений давления его насыщенного пара. Несмотря на то, что ассоциация молекул галогенидов щелочных металлов в парах исследовалась в многочисленных работах ( см. [3469, 198, 3108, 2502, 3124, 2087, 2914, 1472, 62]), эта проблема до настоящего времени не может считаться решенной. [42]
Повышение активности катализаторов реакции изомеризации при переходе от окислов к соответствующим галогенидам, по-видимому, объясняется увеличением электроноакцепторной способности иона металла за счет индуктивного эффекта электроотрицательных заместителей. При одинаковых степенях окисления центрального атома в молекулах галогенидов на один ион металла приходится в два раза больше атомов галоида, чем в окислах атомов кислорода. [43]
В настоящее время имеются данные для более чем 1000 молекул различных классов соединений, изученных методом газовой электронографии. В области неорганических соединений получены основные геометрические параметры для молекул галогенидов, оксидов, оксигалогенидов, солей кислородных кислот и комплексных соединений. Эти данные позволили выявить важные закономерности, связывающие положение элемента в периодической системе и валентные состояния атома элемента, которые определяют конфигурацию связей атома. [44]
Методом дифракции электронов в газах установлено, что молекулы галогенидов Р ( Ш) имеют форму пирамиды с треугольным основанием ( искаженные тетраэдры), в вершине которых находится атом фосфора. Тем же методом установлено, что в газовой фазе молекулы галогенидов P ( V) имеют форму треугольных бипирамид с общим основанием, в центре которых находится атом фосфора. В PF3C12 два атома хлора расположены аксиально, а три атома фтора - в плоскости общего основания. В РСЬ пять атомов хлора находятся на разных расстояниях от атома фосфора: два атома расположены аксиально на расстоянии 2 11 А, а остальные три - на расстоянии 2 04 А от атома фосфора. В молекулах этого типа используются Зй-орбитали. [45]