Cтраница 1
![]() |
Зависимость дифракционной эффективности от постоянной голографической решетки в ВаТЮз. [1] |
Амодей и Стеблер [4.20, 4.21, 4.25], приняв за основу модель Чена, применили ее непосредственно для объяснения процесса записи голограмм. [2]
Амодей и Стайблер [13] рассмотрели соотношение этих механизмов на примере записи интерференционной решетки в кристалле, которая образуется наложением двух плоских волн. [3]
Амодей и Стайблер [13] развили другой взгляд на природу внутреннего поля, под действием которого дрейфуют электроны из облученной зоны кристалла. Когда температура поднимается выше 100 С, проводимость ниобата лития становится достаточно высокой, и результирующее пироэлектрическое поле релаксирует в течение нескольких минут. При охлаждении кристалла пироэлектрический эффект меняет знак, и вследствие быстрого уменьшения электропроводности значительная часть наведенного заряда остается в течение многих недель, если кристалл не подвергается облучению светом. [4]
![]() |
Распределение электронов в ловушках перед ( а и после ( б голографической записи в кристаллах LiNbOs-Fe. [5] |
Амодеем и Стеблером были получены выражения для локальных полей Е ( х), образованных дрейфом или диффузией носителей заряда для стационарного случая. [6]
В работе Амодея [15] обсуждаются два механизма, под действием которых происходит движение электронов из облученной части кристалла - эта дрейф под действием внутреннего поля ( как предположил Чен) и диффузия электронов. [7]
Вуд [4.81] провел сравнительный анализ моделей Амодея, Стеблера и Джонстона. Он показал, что предположение Джон-стона о том, что окончательная конфигурация носителей, определяемая условием Е ( х) 0 для любого х, далеко не всегда реализуется в системе с заряженными ловушками при произвольной кинетике носителей или произвольном распределении носителей. Вуд полагает, что для достижения стационарного состояния условие отсутствия фототока ( как предполагали Амодей и др.) является более обоснованным. [8]
![]() |
Зависимость дифракционной эффективности в LiNbOs от времени для считывания голограммы. [9] |
Как отмечают авторы [4.41], характеристики процесса самоусиления в этих кристаллах согласуются с механизмом, предложенным для описания этого явления Стеблером и Амодеем. [10]
Чена) или распределением плотности занятых ловушек ( механизм Джонстона), и принимая во внимание, что перенос электронов происходит в результате диффузии или дрейфа, Амодей и Стеблер получили отличные от 0 фазовые сдвиги в двух случаях: 1) при индуцированном диффузией распределении электрического поля; 2) при индуцированном дрейфом распределении плотности занятых ловушек. [11]
Вуд [4.81] провел сравнительный анализ моделей Амодея, Стеблера и Джонстона. Он показал, что предположение Джон-стона о том, что окончательная конфигурация носителей, определяемая условием Е ( х) 0 для любого х, далеко не всегда реализуется в системе с заряженными ловушками при произвольной кинетике носителей или произвольном распределении носителей. Вуд полагает, что для достижения стационарного состояния условие отсутствия фототока ( как предполагали Амодей и др.) является более обоснованным. [12]
Янгом и др. [4.83] было показано, что пространственные смещения между распределением световой интенсивности и изменениями показателя преломления являются различными для диффузии и дрейфа электронов только в предположении о малой длине свободного пробега. Авторы получили выражение для стационарного поля при любых длинах свободного пробега и показали, что дифракционная эффективность голограмм, связанная с распределением А / г, возрастает до некоторого предела с ростом длины пробега носителей при диффузии или дрейфе. Одуловым и Соскиным [4.15] было справедливо отмечено, что предположение пе-1 ( х), сделанное Амодеем и Стеблером, противоречит экспериментальным данным о зависимости глубины модуляции An от интенсивности возбуждения. [13]
Фотохромные материалы под действием света и тепла в общем случае испытывают обратимое изменение цвета. Однако существуют и такие фотохромные материалы, которые характеризуются обратимыми изменениями не цвета, а либо показателя преломления, либо электрооптических эффектов. Как показано в табл. 7, фото-хромизм имеет место в различных материалах: в органических и неорганических твердых телах, в растворах и кристаллических структурах. Амодей [2] рассматривает различные процессы, происходящие в фотохромных материалах. [14]