Амодей - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Оптимизм - это когда не моешь посуду вечером, надеясь, что утром на это будет больше охоты. Законы Мерфи (еще...)

Амодей

Cтраница 1


1 Зависимость дифракционной эффективности от постоянной голографической решетки в ВаТЮз. [1]

Амодей и Стеблер [4.20, 4.21, 4.25], приняв за основу модель Чена, применили ее непосредственно для объяснения процесса записи голограмм.  [2]

Амодей и Стайблер [13] рассмотрели соотношение этих механизмов на примере записи интерференционной решетки в кристалле, которая образуется наложением двух плоских волн.  [3]

Амодей и Стайблер [13] развили другой взгляд на природу внутреннего поля, под действием которого дрейфуют электроны из облученной зоны кристалла. Когда температура поднимается выше 100 С, проводимость ниобата лития становится достаточно высокой, и результирующее пироэлектрическое поле релаксирует в течение нескольких минут. При охлаждении кристалла пироэлектрический эффект меняет знак, и вследствие быстрого уменьшения электропроводности значительная часть наведенного заряда остается в течение многих недель, если кристалл не подвергается облучению светом.  [4]

5 Распределение электронов в ловушках перед ( а и после ( б голографической записи в кристаллах LiNbOs-Fe. [5]

Амодеем и Стеблером были получены выражения для локальных полей Е ( х), образованных дрейфом или диффузией носителей заряда для стационарного случая.  [6]

В работе Амодея [15] обсуждаются два механизма, под действием которых происходит движение электронов из облученной части кристалла - эта дрейф под действием внутреннего поля ( как предположил Чен) и диффузия электронов.  [7]

Вуд [4.81] провел сравнительный анализ моделей Амодея, Стеблера и Джонстона. Он показал, что предположение Джон-стона о том, что окончательная конфигурация носителей, определяемая условием Е ( х) 0 для любого х, далеко не всегда реализуется в системе с заряженными ловушками при произвольной кинетике носителей или произвольном распределении носителей. Вуд полагает, что для достижения стационарного состояния условие отсутствия фототока ( как предполагали Амодей и др.) является более обоснованным.  [8]

9 Зависимость дифракционной эффективности в LiNbOs от времени для считывания голограммы. [9]

Как отмечают авторы [4.41], характеристики процесса самоусиления в этих кристаллах согласуются с механизмом, предложенным для описания этого явления Стеблером и Амодеем.  [10]

Чена) или распределением плотности занятых ловушек ( механизм Джонстона), и принимая во внимание, что перенос электронов происходит в результате диффузии или дрейфа, Амодей и Стеблер получили отличные от 0 фазовые сдвиги в двух случаях: 1) при индуцированном диффузией распределении электрического поля; 2) при индуцированном дрейфом распределении плотности занятых ловушек.  [11]

Вуд [4.81] провел сравнительный анализ моделей Амодея, Стеблера и Джонстона. Он показал, что предположение Джон-стона о том, что окончательная конфигурация носителей, определяемая условием Е ( х) 0 для любого х, далеко не всегда реализуется в системе с заряженными ловушками при произвольной кинетике носителей или произвольном распределении носителей. Вуд полагает, что для достижения стационарного состояния условие отсутствия фототока ( как предполагали Амодей и др.) является более обоснованным.  [12]

Янгом и др. [4.83] было показано, что пространственные смещения между распределением световой интенсивности и изменениями показателя преломления являются различными для диффузии и дрейфа электронов только в предположении о малой длине свободного пробега. Авторы получили выражение для стационарного поля при любых длинах свободного пробега и показали, что дифракционная эффективность голограмм, связанная с распределением А / г, возрастает до некоторого предела с ростом длины пробега носителей при диффузии или дрейфе. Одуловым и Соскиным [4.15] было справедливо отмечено, что предположение пе-1 ( х), сделанное Амодеем и Стеблером, противоречит экспериментальным данным о зависимости глубины модуляции An от интенсивности возбуждения.  [13]

Фотохромные материалы под действием света и тепла в общем случае испытывают обратимое изменение цвета. Однако существуют и такие фотохромные материалы, которые характеризуются обратимыми изменениями не цвета, а либо показателя преломления, либо электрооптических эффектов. Как показано в табл. 7, фото-хромизм имеет место в различных материалах: в органических и неорганических твердых телах, в растворах и кристаллических структурах. Амодей [2] рассматривает различные процессы, происходящие в фотохромных материалах.  [14]

15 Оптическое поглощение кристалла SrTiOg-Ni, Mo. / - начальное. 2 - после освещения ( толщина образца 1 мм.| Уменьшение дифракционной эффективности при восстановлении голограммы, записанной па фотохромном стекле ( с галогенидами серебра. [15]



Страницы:      1    2