Момент - переключение - транзистор
Cтраница 1
Момент переключения транзисторов определяется насыщением магнитопровода дросселя, что вызывает увеличение тока коллектора открытого транзистора. Мощность, рассеиваемая в дросселе, невелика, так как в течение большей части периода работы генератора по обмотке дросселя протекает лишь ток намагничивания. Это определяет легкий запуск преобразователя с нагрузкой, сопротивление которой в момент пуска практически равно нулю. [1]
Момент переключения транзисторов в этой схеме определяется насыщением сердечника дросселя Др, что вызывает увеличение тока коллектора открытого транзистора. В остальном работа этой схемы аналогична предыдущей. Габаритные размеры дросселя невелики, так как основную часть периода работы автогенератора по об. мотке дросселя протекает лишь ток намагничивания. [2]
Се, который в момент переключения транзистора ускоряет установление переходных процессов в цепи базы при смене уровней входных сигналов. [3]
 |
Схема и временная диаграмма работы элементов. [4] |
Сб, которая в момент переключения транзистора ускоряет установление переходных процессов в цепи базы при смене уровней входных сигналов. [5]
Выше указывалось, что в момент переключения транзистора в закрытое состояние потенциал эмиттера ниже потенциала базы и, следовательно, к переходу эмиттер - база приложено обратное напряжение. Если бы потенциалы эмиттера и базы просто выравнивались ( что является вполне достаточным для прекращения тока в цепи базы), сказалось бы вредное влияние неуправляемых токов транзистора. Освобождение собственных носителей заряда в переходе база - коллектор создает неуправляемый обратный коллекторный ток / к.о. Диффузия носителей зарядов из эмиттера в базу создает неуправляемый начальный коллекторный ток / к ш проходящий через оба перехода. Отсутствие тока в цепи базы не препятствует возникновению неуправляемых токов. Если транзистор не нагрет, неуправляемые токи настолько малы, что не оказывают существенного влияния на его работоспособность. Однако при повышении температуры неуправляемые токи быстро возрастают, увеличивая нагрев транзистора. Повышение температуры, в свою очередь, вызывает увеличение неуправляемых токов, и таким образом этот процесс развивается лавинообразно, приводя в конечном результате к тепловому пробою транзистора. Обратное напряжение, приложенное к переходу эмиттер - база, создает электрическое поле, препятствующее возникновению неуправляемых токов, и обеспечивает работоспособность германиевого транзистора при повышении температуры в условиях эксплуатации. Способ защиты приложением обратного напряжения называется активным запиранием транзистора. Активное запирание применяется как в реле-регуляторе РР362, так и в транзисторных регуляторах напряжения других типов, а также в схеме контактно-транзисторного зажигания. В последнем случае активное запирание транзистора осуществляется импульсом обратного напряжения, создаваемого вспомогательным трансформатором в момент размыкания контактов. [6]
При этом осуществляется отрицательная обратная связь по напряжению в момент переключения транзисторов, что препятствует их одновременному насыщению или запиранию. [7]
Таким образом, с момента f, и до момента переключения транзисторов f2 увеличение коллекторного тока определено индуктивностью первичной обмотки ненагруженного трансформатора, которую выбирают довольно большой. Фактически состояние цепи к моменту переключения соответствует режиму холостого хода. В реальных цепях роль дросселя L 7 может выполнять индуктивность рассеяния трансформатора. [8]
Амплитуда напряжения на закрытом транзисторе преобразователя с учетом коммутационных всплесков в момент переключения транзисторов не должна превышать предельно допустимого напряжения коллектор - эмиттер транзистора, оговоренного в технических условиях. Амплитуда всплесков зависит от индуктивности рассеяния первичной обмотки трансформатора и скорости изменения тока коллектора. [9]
Цепь VD1, R4 предохраняет транзистор от пробоя импульсами, возникающими в момент переключения транзистора. [10]
 |
Схема ЗАПРЕТ. [11] |
В случае необходимости увеличения быстродействия схемы резистор R6 шунтируется емкостью Сб, которая в момент переключения транзистора ускоряет установление переходных процессов в цепи базы при смене уровней входных сигналов. [12]
 |
Зависимость основных параметров инверторов от кратности изменения напряжения питания ири широтно-пм-пульсном регулировании. [13] |
При этом, если переключение транзисторов Т3 и Г4 происходит с некоторым опережением относительно момента переключения транзисторов 7 и Т2, через трансформатор Тр. [14]
Если магнитопровод выходного трансформатора выполнен из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, то такое подмагничивание может привести к резкому искажению петли гистерезиса, в результате чего магнитопровод в момент переключения транзисторов будет заходить в режим насыщения. В коллекторах транзисторов смежных плеч усилителя мощности будут наблюдаться всплески тока, и тепловые режимы транзисторов смежных плеч будут сильно различаться. [15]
Страницы: 1 2