Новый потенциальный барьер
Cтраница 1
Высокая эффективность нового потенциального барьера проявляется в замедлении коагуляции и наличии значительного индукционного периода. [1]
Новый потенциальный барьер теперь равен W a, и носитель заряда при перемещении по кристаллу должен преодолевать такие барьеры между локальными узлами. В определенном смысле эта энергия активации подобна той, которую должен иметь носитель для преодоления многократного захвата на мелких ловушках. Подвижность носителя, модулированная мелкими ловушками, также имеет вид д - ехр ( - E / kT), где Е - глубина ловушки. Полная энергия малого полярона может превышать W a, в этом случае полярой будет обладать кинетической энергией, большей нуля, попадая при этом в зону АЕ. Из рис. 2.6.11 видно также, что поглощение фотона может способствовать передвижению полярона. [3]
Может ли дырка при своем движении удаляться от той ячейки, где находится литшшодобный ион. Если в соседней ячейке также имеется литийподобный ион, то переход дырки из одной ячейки в другую не будет связан с новым потенциальным барьером. Эти переходы ( удаление дырки от литийподобного иона) сопровождаются новым распределением прочностей связей. На своем пути дырка оставляет след распределения прочностей. На рис. 4 показано движение дырки ( Ni3) от иона лития в направлении электрического поля ( ось х) на плоскости В. [4]
Потенциалы теперь увеличатся по абсолютной величине, соответственно увеличится и высота потенциального барьера. Это не сказывается на плотности тока неосновных зарядов, плотность же тока основных свободных зарядов резко уменьшится, так как гораздо меньше таких зарядов имеет энергию, достаточную для преодоления нового потенциального барьера. [5]
Потенциалы теперь увеличатся по абсолютной величине; соответственно увеличатся по модулю энергии свободных зарядов и высота потенциального барьера. Это не сказывается на плотности тока неосновных зарядов, плотность же тока основных свободных зарядов резко уменьшится, так как гораздо меньше таких зарядов имеет энергию, достаточную для преодоления нового потенциального барьера. [6]
Потенциал - полупроводника станет ниже, р-полупроводника - выше, соответственно изменятся энергии свободных зарядов и у м е и ь-шится высота потенциального барьера. Плотность тока ( через контакт) неосновных свободных зарядов от этого не изменится, плотность же тока основных зарядов резко увеличится, так как теперь через контакт могут пройти такие основные заряды, энергия которых больше нового потенциального барьера. Результирующая плотность тока будет отличной от нуля, через контакт пойдет ток, направленный справа налево. Плотность результирующего тока достаточно велика и зависит от приложенного напряжения. Этот ток называют прямым, а его направление - проходным. [7]
В ходе медленной коагуляции под влиянием электролита автор выделяет две стадии: сначала происходит агломерация глобул, затем этот процесс резко затормаживается - коагуляция переходит во вторую, более медленную стадию. Причину затормаживания начавшейся агломерации глобул при коагуляции адсорбщюнно-нена-сыщенных латексов автор связывает с перераспределением эмульгатора таким образом, что первоначальные контакты между глобулами приводят к образованию агрегатов, поверхность которых покрыта насыщенным адсорбционным слоем эмульгатора. Этим завершается конец первой стадии коагуляции. Вторая стадия происходит значительно медленнее первой, что объясняется необходимостью преодоления нового потенциального барьера, обусловленного структурой н свойствами поверхностно-насыщенной адсорбционно-сольватной пленки, образующейся в ходе первой стадии коагуляции. При коагуляции адсорбцпонно-насыщенных латексов начинается сразу вторая стадия. Изучение влияния полимерных добавок ( например, поливинилового спирта) 173 на кинетику коагуляции латекса показало, что такого типа неионогенпые вещества способны повышать устойчивость латекса к действию электролитов. [8]
Страницы: 1