Cтраница 1
Низкая высота контактного барьера для дырок и, как результат, инжекция дырок на а-и-переходе могут быть выявлены из измерения токов эмиттера и коллектора в приборе со структурой транзистора, в котором аморфный слой работает как эмиттер. [1]
Эти результаты объясняются механизмом ударной ионизации при проникновении электронов через контактный барьер и ускорении их в высоком поле истощенного слоя. Если вместо контактов из In-Ga - сплава или меди ( работа выхода 4 8 эв) применялись контакты из платины ( работа выхода - 5 5 эв), то излучение наблюдалось, когда контакт был анодом, начиная от напряжения 1 35 в. Спектральное распределение излучения было идентично спектру фотолюминесценции. [2]
Подвижные и неподвижные части лабиринтного уплотнения не соприкасаются друг с другом, что обусловливает малое сопротивление вращению ролика. Однако ввиду отсутствия защитного контактного барьера усложняется централизованное смазывание роликов вследствие утечек масла через лабиринтные уплотнения. [3]
Если же толщина слоя объемного заряда меньше длины свободного пробега, электроны в обедненной области не испытывают столкновений. Из полупроводника в металл могут перейти электроны, кинетическая энергия которых достаточна для преодоления потенциального контактного барьера. [4]
Для решения проблем с применением ДШ обычно используемые в них металлы ( Al, Ni, Аи, Сг) были заменены металлами Шоттки, выделяющими неосновные носители. В этом диоде может использоваться слой кремния с относительно низким сопротивлением, так как эмиссия неосновных носителей из контактного металла вызывает модуляцию проводимости и предотвращает большое падение напряжения на слое кремния. Более того, когда высота контактного барьера выбрана правильно, даже небольшое количество неосновных носителей может вызвать достаточную модуляцию проводимости. [5]