Монокристалл - карбид
Cтраница 1
Монокристаллы карбидов ( TiC) разрушаются путем отрыва по плоскостям 100 [8]; однако о деталях механизма этого разрушения и об энергии, требуемой для отрыва, мало что известно. Сам факт скалывания кристаллов карбидов по плоскостям 100 представляет особый интерес. У плоскостей 100 на единицу площади приходится наименьшее отношение числа разорванных связей Me-Me. Эта гипотеза согласуется с некоторыми современными теориями химической связи в карбидах, но противоречит тем теориям, в которых предполагается более сильное взаимодействие металл-неметалл ( см. гл. [1]
Таким образом, свойства монокристаллов карбида юльфрама довольно неодинаковы в разных кристалло-рафических направлениях, что, по-видимому, связано с неодинаковым запасом свободной энергии граней. [2]
Знакомство с результатами изучения механических свойств монокристаллов карбидов должно способствовать разработке и применению в технике конструкционных материалов с лучшими свойствами. Приготовить монокристаллы достаточно больших ( для промышленного применения) размеров - слишком трудная задача. Тем не менее исследования показали, что карбиды, подобно гцк-металлам, пластически деформируются по системам скольжения. В поликристаллических карбидах имеется достаточное число независимых систем скольжения, чтобы эти карбиды были пластичными. [3]
Выращивание из газовой среды применяется для получения монокристаллов карбидов и нитридов титана, циркония, а также диборида титана [307] и не может быть использовано для выращивания монокристаллов WC по той же причине, что и для порошкообразного WC. Лишь в работе [332] сообщается об ориентированном росте W2C из газовой фазы па чистых сферических монокристаллах меди. [4]
 |
Выращивание монокристаллов методом Бридж-мена. [5] |
Таким образом, в результате анализа возможных методов получения монокристаллов карбидов вольфрама можно сделать вывод, что основное внимание уделяется получению кристаллов монокарбида вольфрама. [6]
 |
Схема прибора для получения монокристаллов ZrC методом прямого. [7] |
Одно из основных преимуществ метода деформация - отжиг состоит в том, что можно получать монокристаллы карбидов, состав которых близок к стехиометрическому. Методом зонной плавки обычно получают кристаллы с дефицитом углерода. Оба этих метода позволяют получать ненапряженные кристаллы хорошего качества. [8]
 |
Схема прибора для зонной очистки, используемого для выращивания монокристаллов НС и VC. [9] |
Порошок плавится, и расплав, выливающийся в коническую форму, затвердевает в виде монокристалла. При приготовлении монокристаллов карбидов горелку заменяют электрической дугой и, чтобы предохранить порошок от окисления, процесс ведут в токе аргона. Этот метод далек от совершенства; он позволяет получать сравнительно маленькие ( миллиметровые) монокристаллы, во время охлаждения образец часто растрескивается. Кроме того, необходимо контролировать изменение состава в процессе получения, а также дисперсность и состав исходных порошков. [10]
Выбор метода выращивания монокристаллов ( особенно для тугоплавких соединений) зачастую ограничивается [305] температурой плавления материала, его реакционной способностью, отсутствием соответствующих материалов кристаллизаторов или подложек, а также инконгруэнтным плавлением некоторых соединении. Это, в частности, относится и к получению монокристаллов карбидов вольфрама, в связи с чем данный вопрос мало освещен в литературе. [11]
Карпова исследование структуры фаз карбидов бора, но удавшееся Лавесу. В нашей лаборатории И. Г. Шафраном был проведен синтез монокристаллов карбида бора. [12]
Выполнимость принципа пространственного согласования не ограничивается только образованием металлических покрытий. Он четко проявляется и при нанесении неметаллических покрытий. В [77] были изучены покрытия из карбида циркония, полученные испарением-конденсацией карбида циркония в вакууме, на подложках из монокристалла молибдена. По виду сопряжений решеток молибдена и карбида циркония было установлено, что наиболее вероятной текстурой зарождения является текстура [100] - Осаждение карбида циркония со скоростью более 1 5 мкм / мин приводит к образованию монокристалла карбида циркония. При меньших скоростях, т.е. в условиях пространственного несогласования, покрытие представляет собой поликристаллический карбид циркония. [13]
Ввиду того, что прочность химической связи Si-С значительно превышает прочность связей Si-Si и С-С, происходит кристаллизация только карбида кремния. Этому способствует также высокая растворимость карбида кремния в жидком кремнии при 1700 - 1800 С и резкое ее падение с понижением температуры. Кристаллизацию проводят в графитовых тиглях, снабженных карбидкремниевыми монолитными покрытиями. При выращивании монокристаллов карбида из кремниевых расплавов обычно получаются кристаллы л-типа благодаря наличию в них сверхстехиометричных атомов кремния. [14]
Страницы: 1