Монокристалл - молибден
Cтраница 2
При осаждении покрытий на плоскость 100 монокристалла молибдена их совершенство было изучено в широком интервале изменения скоростей роста. Выявлено два интервала скоростей роста, при которых образуются монокристаллические покрытия из карбида циркония: менее 0 3 мкм / мин и более 1 5 мкм / мин. В первом интервале происходит чисто гетероэпитаксиальное наращивание с возникновением ориентировки ( 100) [110] Мо ( 100) [100] ZrC. В другом интервале при скоростях роста, почти на порядок больших, чисто гетероэпитаксиальный рост при больших толщинах невозможен. Монокристальность покрытия обеспечивается спецификой условий роста - цространственным согласованием. [16]
Результаты регистрации профилей скорости свободной поверхности монокристаллов молибдена с разной ориентацией относительно направлению нагрузки. [17]
Ориентационная и структурная неустойчивости при прокатке монокристаллов молибдена: Автореф. [18]
В пределах достигнутой точности измерений анизотропии электросопротивления монокристаллов молибдена не обнаружено. [19]
В широкой области спектра коэффициент отражения для монокристалла молибдена в несколько раз превышает коэффициент отражения для поликристалла. Разница в значениях па для плоскостей ( ПО), ( 111) и плоскости ( 100) достигает 20 %, что гораздо больше случайной ошибки измерений. [20]
Цель настоящей работы - детально изучить дислокационную структуру монокристаллов молибдена с осью [001] после знакопеременного нагружения с помощью высоковольтного электронного микроскопа. [21]
На рис. 4.86 изображены кривые напряжений при растяжении монокристалла молибдена при различной ориентировке оси растяжения. Особенно сильно выражена анизотропия механических свойств у монокристалла вольфрама. [22]
Таким образом, при равномерном изгибе кристаллической решетки полигонизация монокристаллов молибдена приводит к созданию стабильной субструктуры при длительном отжиге. При этом рекристаллизация не была обнаружена, а заданная кристаллическая ориентация сохранялась почти до температуры плавления. [23]
 |
Схема полигонизацни. [24] |
Для некоторых металлов ( например алюминия, титана, монокристаллов молибдена и вольфрама) в процессе возврата и полигонизации происходит заметное понижение прочности и повышение пластичности. Однако их жаропрочные свойства при этом повышаются. У меди, никеля и их сплавов на определенной стадии полигонизации твердость, пределы текучести, упругости и выносливости, а также пластичность повышаются. Одновременно снижаются неупругие эффекты. Упрочнение происходит в результате закрепления подвижных дислокаций атомами примесей в дислокационных стенках, возникающих при полигонизации деформированного металла. [25]
В области температур от комнатной до 2400 К электросопротивление монокристаллов молибдена на 2 - 3 % ниже электросопротивления поликристаллической проволоки. [26]
В работе [9] приведены снимки дислокационной структуры приповерхностного слоя монокристаллов молибдена ( 100), усталостно нагруженных при комнатной температуре с частотой 36 Гц. При высокочастотной усталости кристаллов молибдена ( 100) также видны кристаллографически ориентированные каналы ( см. рис. 3, б), но дислокационная структура, на фоне которой они появляются, в отличие от низкочастотной усталости, не имеет кристаллографической направленности. [27]
 |
Схема полигонизации. [28] |
Для некоторых металлов ( например алюминия, титана, монокристаллов молибдена и вольфрама) в процессе возврата и полигонизации происходит заметное понижение прочности и повышение пластичности. Однако их жаропрочные свойства при этом повышаются. У меди, никеля и их сплавов на определенной стадии полигонизации твердость, пределы текучести, упругости и выносливости, а также пластичность повышаются. Одновременно снижаются неупругие эффекты. Упрочнение происходит в результате закрепления подвижных дислокаций атомами примесей в дислокационных стенках, возникающих при полигонизации деформированного металла. [29]
Основные закономерности фрагментации поликристаллов подтверждены в [34] и опытами с гидроэкструдированными монокристаллами молибдена. [30]
Страницы: 1 2 3 4