Монокристалл - сапфир
Cтраница 2
В результате исследований найдены условия выращивания монокристаллов сапфира, по оптическим спектрам поглощения аналогичного природному. [16]
 |
Свойства пленок CdS, осажденных на сапфире. [17] |
Хадок [42], получивший текстурированные пленки GdS на монокристаллах сапфира в квазиравновесных условиях при низких остаточных давлениях ( рС Ю-9 мм рт. ст.), показал, что по сопротивлению они сравнимы с испаряемым материалом. [18]
Применение таких современных диэлектрических материалов, как оксид и нитрид кремния, монокристаллов сапфира и шпинели в качестве соответственно диэлектрических пленок и подложек, во многом определяет параметры интегральных микросхем. [19]
 |
Краевые дислокации в изогнутом кристалле до ( и и, i после ( б полигонизации. [20] |
На рис. 70 видна ( в проходящем поляризованном свете) субструктура в монокристалле сапфира. Различное потемнение субзерен указывает на их разную ориентацию. [21]
Ni и 20 % Сг, армированный окисью алюминия ( А12О3) в виде монокристаллов сапфира или корунда, обладающий хорошим сопротивлением тепловому удару и эрозионному разрушению. [22]
У монокристаллов сапфира при низких температурах и соответствующей подвеске в вакууме потери энергии за период на первой гармонике составляют 10 - 8 от энергии колебаний. Во сколько раз увеличатся эти потери в воздухе. [23]
Специальными опытами, в которых сапфировый стержень нагревался в токе сухого или влажного водорода, было замечено, что потеря веса стержня больше в сухом водороде, а значит именно водород действует на глинозем, например, по приведенной реакции. Мэй уже через час получал монокристаллы сапфира в виде пластинок, длиной приблизительно 100 мк при их толщине от 0.1 до 10 мк. [24]
Система индентора состоит из вмонтированного в оправку индентора 5, державки индентора 6 с сильфонным уплотнением, устройства для регулировки смещения индентора и нагружающего устройства. В качестве наконечника индентора используют монокристаллы искусственного сапфира либо карбидные вставки, вмонтированные в оправки из чистого молибдена. [25]
 |
Увеличение размеров А12О3 параллельно ( 1 и перпендикулярно ( 2 оси с в зависимости от дозы облучения. [26] |
Влияние облучения на стабильность размеров А1203, вероятно, невелико. Уилер [217] измерил макроскопический рост монокристаллов сапфира после облучения потоком 2 - 1019 нейтрон. В табл. 4.1 показано, как изменились размеры и некоторые физические характеристики А1203 в результате облучения. [27]
Для повышения стабилизации частоты генераторов особое значение имеет величина добротности резонатора. Высокая добротность ДР АК, реализуемая при использовании монокристаллов сапфира, позволяет получить уникальные результаты при создании сверхвысокостабильных генераторов СВЧ. Конструкции таких генераторов используют связь ДР АК с активным контуром, образованным реактивными параметрами ПП и отрезком линии передачи. [28]
С уменьшением размеров зерна в высокоплотной ( р0 р0иог) керамике на основе А12О3 с 1 мкм до 10 нм динамическая сдвиговая прочность может увеличиваться в два раза. При этом предел упругости Пюгонио нанокристал-лической керамики может приближаться к пределу Гюгонио монокристаллов сапфира. [29]
При переходах между уровнями этих состояний происходит генерация лазерного излучения. Особенностью активных сред с ионами титана и ванадия является возможность плавной регулировки ( перестройки) частоты генерации лазера. При активации монокристаллов сапфира ионами титана перестройка осуществляется в пределах 0 68 - 0 93 мкм, а ионами ванадия - 0 59 - 0 62 мкм. Как следует из критериев изоморфизма, ионы редкоземельных элементов вследствие их больших размеров не могут быть введены в решетку оксида алюминия. Такие соединения имеют гексагональные решетки, допускают легирование ионами неодима и характеризуются высоким коэффициентом теплопроводности. Технология выращивания кристаллов в настоящее время разрабатывается и в будущем они могут стать конкурентоспособными по сравнению с таким материалом, как гранат. [30]
Страницы: 1 2 3