Cтраница 3
Для выращивания из раствора крупных монокристаллов в форме правильно развитых многогранников небольшой зародышевый кристаллик подвешивают внутри насыщенного раствора и очень медленно испаряют раствор. Если приняты все необходимые меры предосторожности, чтобы конвекционные токи не искажали роста кристалла, то форма вырастающего монокристалла будет зависеть только от химической природы кристаллизуемого вещества. В этом случае, как теоретически доказал Гиббс ( 1878 г.), выращиваемый кристалл приобретает такую форму, при которой поверхностная энергия кристалла минимальна. [31]
Получение их в виде достаточно крупных монокристаллов обычно затруднено ввиду очень малой растворимости, склонности к образованию твердых растворов и узкой области термодинамической стабильности. [32]
Метод зонной плавки позволяет получать крупные монокристаллы со столбчатой структурой, пригодные для промышленного применения. Осуществляется этот метод на многопозиционных установках зонной плавки, конструкция которых учитывает специфические, требования процесса зонной перекристаллизации магнитных сплавов. [33]
Описанный метод пригоден для выращивания крупных монокристаллов разных веществ в широком диапазоне значений растворимости, что может оказаться особенно ценным для таких соединений, которые имеют сравнительно низкие растворимости, а также обратную зависимость растворимости от температуры и малые температурные коэффициенты. [34]
Кристаллографическая ориентация произвольная, на крупных монокристаллах ( масса более 6 г) допускается наличие двойниковых границ. [35]
Получение p - BN в виде крупных монокристаллов происходит с большим трудом - гораздо хуже, чем при синтезе алмаза. Поэтому ведутся широкие исследования как по созданию условий для выращивания крупных монокристаллов, так и по методам получения поликристаллических агрегатов. Синтез поликристаллического p - BN из a - BN уже освоен промышленностью в большом масштабе и инструмент из него также серийно выпускается. [36]
Метод переноса может быть использован для выращивания крупных монокристаллов. При проведении таких процессов необходимо локализовать зону выделения вещества на поверхности растущего кристалла. Хорошие результаты достигают при использовании установки, представленной на рис. 6.35. Для создания резкого и строго локализованного перепада температур печь сопротивления ( греющая спираль, намотанная на трубку из прозрачного кварца) располагают в водоохлаждаемой вакуумной камере. При вакууме 10 - 3 - - 10 - 4 мм рт. ст. теплоизоляция может быть обеспечена несколькими отражающими экранами, расположенными вокруг печи. [37]
В настоящее время отечественной промышленностью освоено производство крупных монокристаллов лейкосапфира с использованием метода вытягивания из расплава по Чохраль-скому. В отличие от кристаллов, полученных по методу Вернейля, в таких кристаллах практически отсутствуют механические напряжения, что позволяет вырезать из них тонкие ( до 0 2 мм) пластины различной ориентации диаметром до 60 - 70 мм. Размер пластин до 35 мм освоен в промышленности. Достаточно хорошо разработаны также методы механической и химической обработки лейкосапфира. [38]
Первая группа - материалы, состоящие из сравнительно крупных монокристаллов и кристаллических сростков. К ним, например, относятся: ильменит, барит, легкий шпат и др. При измельчении этих материалов происходит образование новых поверхностей раздела по плоскостям кристаллических решеток. [39]
Первая группа - материалы, состоящие из сравнительно крупных монокристаллов и кристаллических сростков. К ним, например, относятся ильменит, барит, легкий шпат и др. При измельчении этих материалов образуются новые поверхности раздела в местах сращиважия кристаллов или по плоскостям кристаллических решеток. Тонкое измельчение материалов первой группы требует большой затраты энергии и обычно осуществляется на шаровых и роликовых мельницах; сверхтонкое измельчение - на струйных мельницах. [40]
В полупроводниковой технике основным направлением было выращивание крупных монокристаллов германия или кремния высокой чистоты, которые затем разрезались на пластинки, ориентированные по отношению к тем или иным граням. [41]
Сообщается о разработке в массовом производстве метода выращивания крупных монокристаллов ( длиной 305 мм и 0 19 мм) вольфрама, молибдена, ванадия, ниобия, тантала, карбида титана, моноокиси титана, полуторной окиси титана и дисилицида молибдена. Для выращивания этих монокристаллических слитков применяют метод дуговой плавки, в основе которого лежит по существу принцип, использованный в методе Вернейля для получения монокристаллических булек драгоценных камней, таких, как сапфиры и рубины. [42]
Сообщается о разработке в массовом производстве метода выращивания крупных монокристаллов ( длиной 305 мм и 0 19 мм) вольфрама, молибдена, ванадия, ниобия, тантала, карбида титана, моноокиод титана, полуторной окиси титана и дисилицида молибдена. Для выращивания этих монокристаллических слитков применяют метод дуговой плавки, в основе которого лежит по существу принцип, использованный в методе Вернейля для получения монокристаллических булек драгоценных камней, таких, как сапфиры и рубины. [43]
Простейшим путем установления лауевских классов симметрии при наличии достаточно крупных монокристаллов является получение лауе-граммы. Существование всего 11 лауевских классов симметрии связано с законом Фриделя, согласно которому рентгенографическое исследование приводит к получению рентгенограмм, соответствующих наличию в кристалле центра инверсии, даже если кристалл таковым не обладает. [44]
В частности, для нейтронографического определения структуры требуется гораздо более крупный монокристалл, чем для рентгеноструктурного анализа. [45]