Cтраница 2
![]() |
Атомные плоскости в кубической объемноцентри-рованной кристаллической решетке. [16] |
Вследствие векториальности химические и физико-механические свойства металлов в разных направлениях не одинаковы. Так, например, в искусственно полученном монокристалле меди ( образце, состоящем из одного кристалла) величина предела прочности ав колеблется от 343 до 143 MH / MZ ( от 35 до 14 6 кГ / мм2), относительного удлинения 8 -от 55 до 10 % и модуля упругости Е - от 67 до 187 Гн / м2 ( от 6800 до 19100 к / 7лш2) в зависимости от направления исследования этих свойств. [17]
Она проявляется в параллельном смещении частей кристаллов друг по другу вдоль плоскостей, составляющих угол с направлением действующих сил, причем эти перемещения превосходят расстояние-между атомами решетки в тысячи раз. Наиболее отчетливо это явление можно наблюдать при деформации естественных или искусственно полученных монокристаллов, достигающих значительной, величины и могущих служить испытуемым образцом. [18]
![]() |
Вытягивание монокристалла кремния ( германия по методу Чохральского.| Распределение растворенных примесей при кристаллизации твердых растворов между твердой ( Ст и жидкой фазами ( Сж. [19] |
Получение монокристаллов уже освобождает вещества от примесей, которые остаются в жидкой фазе, понижая ее температуру плавления. Монокристаллы получают по методу Чохральского наращиванием из расплава на внесенную туда затравку - монокристалл - и постепенным вытягиванием стержня монокристалла. Однако полученный монокристалл может содержать некоторое количество примесей в состоянии твердого раствора. [20]
![]() |
Вытягивание монокристалла кремния ( германия по методу Чохральского.| Распределение растворенных примесей при кристаллизации твердых растворов между твердой ( Ств и жидкой фазами ( Сш. [21] |
Получение монокристаллов уже освобождает вещества от примесей, которые остаются в жидкой фазе, понижая ее температуру плавления. Монокристаллы получают по методу Чохральского наращиванием из расплава на внесенную туда затравку - монокристалл - и постепенным вытягиванием стержня монокристалла. Однако полученный монокристалл может содержать некоторое количества примесей в состоянии твердого раствора. [22]
Правильное расположение атомов кристаллического вещества в пространстве обусловливает наличие у него ряда особенностей. Вследствие правильного расположения атомов в кристаллическом веществе атомная плотность или число атомов в кристаллографических плоскостях разного направления различна, поэтому химические и физико-механические свойства кристаллов в разных направлениях также неодинаковы. Так, например, в искусственно полученном монокристалле ( образце, состоящем из одного кристалла) меди величина предела прочности зй колеблется от 35 до 14 6 кг / мм2, а величина относительного удлинения & от 55 до 10 % в зависимости от направления исследования этих свойств. [23]
Ориентация действующих элементов скольжения относительно оси в полученных монокристаллах определялась непосредственно под микроскопом по линиям сдвигов, возникающих на образцах после незначительного растяжения. Точность такого метода определения ориентации практически вполне удовлетворительна, что было проверено рентгенографическим методом. Перед испытанием каждый монокристалл протравливался для удаления сравнительно толстых окисных пленок, образовавшихся в процессе выращивания, и затем разрезался на три части, из которых одна подвергалась растяжению на воздухе или в неполярной жидкости ( чистое вазелиновое масло), другая - в активной среде ( вазелиновое масло с добавлением поверхностно-активного вещества), а последняя часть служила для выявления действующих элементов скольжения. [24]
![]() |
Схематическое изображение рентгенограммы вращения монокристалла. [25] |
Наиболее широко для определения структуры используется метод вращения кристалла. В этом методе используется монохроматическое рентгеновское излучение, а в качестве исследуемого образца - монокристалл. Так как монокристаллы получены отнюдь не для всех полимеров, а размеры полученных монокристаллов слишком малы, то при исследовании полимеров используются ориентированные, максимально закристаллизованные полимерные пленки или волокна. При вращении кристалла вокруг какой-либо оси рентгеновские лучи, направленные перпендикулярно к этой оси, в определенный момент ( времени оказываются по отношению к некоторым кристаллографическим плоскостям в положении, при котором выполняется формула Вульфа - Брэгга. В этом случае возникает дифрагированный рентгеновский луч, который приводит к появлению рефлекса ( пятна) на цилиндрической фотопленке, ось которой совпадает с осью вращения кристалла. На цилиндрической фотопленке рефлексы располагаются по слоевым линиям, перпендикулярным к оси вращения. Слоевая линия, проходящая через След от первичного пучка рентгеновских лучей, называется нулевой. Расстояние между слоевыми линиями зависит от расстояния между идентичными рассеивающими центрами, расположенными вдоль оси вращения кристалла. [26]
Настоящая работа предпринята с целью изучения этой очень интересной фазы. В ходе ее исследована зависимость удельной электропроводности, термоэдс, теплопроводности, микротвердости, коэффициента линейного расширения, подвижности носителей тока и их концентрации от состава в наиболее интересной области концентраций ( 45 - 51 вес. Проведены микроструктурный, рентгеноструктурный и химический анализы наиболее интересных сплавов; изучена зависимость ряда электрофизических свойств от температуры; на полученных монокристаллах предприняты рентгеноструктур-ные исследования. [27]
![]() |
Приборы для выращивания монокристаллов методами Вернейля ( а и Киропоулоса ( б. [28] |
Главным достоинством метода Киропоулоса является то, что растущий монокристалл не находится в контакте со стенками тигля. К недостаткам этого метода относят трудность управления параметрами роста, так как скорость подъема монокристалла и температуру расплава почти невозможно поддерживать строго постоянными. Качество полученных монокристаллов зависит в основном от мастерства оператора. [29]