Cтраница 2
![]() |
Структура тонкопленочной гибридной ИС. [16] |
Для изготовления конденсатора на первый проводящий слой осаждают диэлектрический слой 7 ( монооксид кремния или германия, оксид тантала или алюминия), а затем второй проводящий слой 6, являющийся второй обкладкой конденсатора. [17]
В качестве диэлектрика пленочных конденсаторов могут быть использованы различные материалы, но наиболее широко применяется монооксид кремния. [18]
Алюминиевые зеркала для их защиты, а также для увеличения отражательной способности в УФ-диапазоне нередко дополнительно покрывают тонким слоем фторида магния или монооксида кремния. [19]
Результирующие уравнения изобарных потенциалов реакций (3.45) и (3.46) и графики, построенные по этим данным, показывают, что с учетом наличия в сварочной ванне монооксида кремния SiO полученные данные вполне объяснимы. [20]
Температура в печи на глубине 500 - 600 мм от поверхности колошника при выплавке ФС45 повышается до 1800 - 2000 С, что приводит к усиленному испарению и потерям в улет не только монооксида кремния, но и восстановленного кремния. Работу с недостатком восстановителя называют закварцеванием печи. В случае длительной работы печи с недостатком восстановителя наблюдается расстройство работы летки - летка закрывается с трудом или вообще не закрывается, наблюдается просачивание металла в любом месте арочки и даже прорыв футеровки печи сплавом. Это вызвано размягчением гарнисажа у передней стенки вследствие разрушения карбидов кислым шлаком. Для исправления хода печи следует добавить восстановитель в шихту, давать коксик в виде добавок, усилить обслуживание колошника. Если эти меры не дают положительного результата, то следует несколько проплавить тигель электрода над леткой и при выключенной печи дать в тигель 150 - 500 кг коксика. [21]
Runyan, 1965 ], и только после этого образуется монооксид SiO. Монооксид кремния испаряется, однако примеси, содержащиеся в кварце, остаются в расплаве. В этой связи следует минимизировать отношение поверхности к объему тигля и применять особо чистый кварц. В качестве материала тигля используется также графит, однако углерод частично растворяется в кремнии, образуя включения SiC; кроме того, возможно загрязнение расплава примесями, поскольку графит с трудом поддается очистке. [22]
Монооксид кремния удаляется из шихты с газами и способствует неполному извлечению кремния из шихты в готовый продукт. Частично монооксид кремния может растворяться также в шлаках. Кроме того, он, попадая на холодные части печи и электрододержателей, осаждается в газоходах, что приводит к серьезным осложнениям при работе закрытых печей. [23]
![]() |
Часть пленочной интегральной /. С-микросхемы. [24] |
Тонкопленочные конденсаторы изготовляют нанесением двух слоев металла, разделенных слоем диэлектрика. В качестве диэлектрика используют монооксид кремния, а для обкладок конденсатора - пленку алюминия. [25]
![]() |
Взаимосвязь между плотностью и энтропией различных модификаций S1O.. [26] |
При сильном нагревании кремний энергично взаимодействуете кислородом, образуя диоксид кремния SiCb. Образующийся при высоких температурах монооксид кремния SiO при комнатной температуре термодинамически неустойчив. [27]
При выплавке передельных чугунов в результате резкого повышения температуры в горне проходимость газов через слои шихты снижается. Кроме того, при температуре - 2000 С происходит интенсивная возгонка монооксида кремния SiO. Он конденсируется в зонах с более низкой температурой в виде тонкодисперсных частиц, уменьшающих газопроницаемость шихты. При повышении содержания кислорода в дутье на 2 - 3 % печь работает хуже. Повышение концентрации кислорода в дутье 23 - 24 % при выплавке передельного чугуна сопровождается замедлением плавки и подвисанием шихты. Для устранения этих нежелательных явлений и повышения производительности печи необходимо с дутьем вдувать добавки, понижающие температуру в горне. Такими добавками являются природный газ и мазут. [28]
![]() |
Рабочие параметры микроволновых нерезонансных реакторов, используемых для химико-технологических приложений. [29] |
Яоъ разрядная камера, выполненная из кварца или другого диэлектрического материала, ненадежна для длительной эксплуатации и вообще неприменима для коррозионно-активных газов ( F2, HF, UFg и др.); кроме того, расхожее мнение о стерильности такой безэлектродной плазмы не подтверждается при использовании ее в приложениях. Например, кварцевая труба с течением времени становится менее прозрачной из-за образования и уноса сравнительно летучего монооксида кремния. К тому же в кристаллической решетке большинства керамических материалов происходят при длительном использовании фазовые переходы, в связи с чем и ее механическая прочность, и электрофизические свойства меняются в сторону снижения надежности в эксплуатации. Поэтому при ориентации на микроволновую разрядную технику существует достаточно стимулов для разработки цельнометаллической конструкции плазмотрона. [30]