Высоковольтный мост

Cтраница 3

Схема включения кенотрона и высоковольтного моста. [31]

Ввиду осложнений, вносимых в технику измерений наличием высокого напряжения, от применения высоковольтных мостов воздерживаются, добиваясь снижения переходного сопротивления путем надежного прожигания кабеля. [32]

Измерения тангенса угла диэлектрических потерь tg 8 и емкости С изоляции производятся при помощи высоковольтного моста ( МДП) для измерения диэлектрических потерь ( см. разд. [33]

Схема четырехплечего моста для измерения Сх и tg 8. [34]

Основным методом измерения Сх и tg б при 50 Гц является измерение с помощью четырехплечих высоковольтных мостов. Основная схема ( рис. 25 - 21) питается от повышающего трансформатора, напряжение на первичной стороне возможно плавно регулировать. При этом охранный электрод образца соединяется с заземленным экраном, а высоковольтный - с указанной вершиной. [35]

Измерение тангенса угла потерь конденсаторов ( а одновременно и емкости) производят в основном при помощи высоковольтных мостов переменного тока при частоте 50 гц. [36]

Векторная диаграмма при равновесии моста высокого напряжения. [37]

В практике часто испытываемый объект имеет один электрод заземленным, и тогда применяют так называемую перевернутую схему высоковольтного моста, у которого точка А заземляется, а точка В соединяется с зажимом трансформатора ( гл. [38]

Диэлектрические потери ( tg6) в изоляции кабеля ( ГОСТ 12179 - 66) измеряют при помощи высоковольтного моста переменного тока. Диэлектрические потери одножильных кабелей и кабелей с отдельными жилами в металлической оболочке измеряют между жилами и металлической оболочкой, а многожильных кабелей с поясной изоляцией - между каждой жилой и остальными жилами, соединенными с металлической оболочкой. [39]

Принципиальная схема моста для определения относительной диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь при 50 Гц. [40]

Определение tg 6 и относительной диэлектрической проницаемости при частоте 50 Гц производят обычно по стандартизованной методике на высоковольтном мосте. [41]

Диэлектрические потери ( tg б) в изоляции кабеля ( ГОСТ 12179 - 66) измеряют при помощи высоковольтного моста переменного тока. Диэлектрические потери одножильных кабелей и кабелей с отдельными жилами в металлической оболочке измеряют между жилами и металлической оболочкой, а многожильных кабелей с поясной изоляцией - между каждой жилой и остальными жилами, соединенными с металлической оболочкой. [42]

Измерение угла диэлектрических потерь ( tg В) обязательно для высокочастотных конденсаторов, емкость которых невелика, вследствие чего измерение tgS возможно на обычном высоковольтном мосте. [43]

Испытания проводят при частоте тока 50 гц. Определение производится при помощи высоковольтного моста Шеринга. [44]

Зависимости tg б от величины приложенного напряжения для проходных изоляторов конденсаторного типа.| Принципиальная нормальная мостовая схема для измерения. [45]

Страницы: 1 2 3 4