Мощности - управляющий сигнал
Cтраница 2
В регуляторах прямого действия исполнительным механизмом является само измерительное устройство. Как правило, мощности управляющего сигнала недостаточно для непосредственного воздействия на регулирующий орган, поэтому исполнительный механизм можно рассматривать как усилитель мощности. [16]
Напряжение срабатывания может регулироваться с помощью потенциометра 4; термосопротивление 7 служит для температурной компенсации. Переключаемая мощность составляет несколько ватт при мощности управляющего сигнала менее 1 мет. Для защиты от перегрузок во входной цепи включен кремниевый стабилитрон 5 последовательно с добавочным сопротивлением; при этом допускается 6000-кратная перегрузка по сравнению с установленным уровнем мощности срабатывания. Для транзисторной техники в настоящее время является довольно типичным применение печатных схем и миниатюрных конструктивных элементов. Можно легко достигнуть управления таких схем от фотоэлектрических датчиков, если во входную цепь ввести фотосопротивление, фотодиод или фототранзистор. [17]
Достаточно широкое применение муфт в системах автоматического управления обусловлено тем, что с их помощью удается устранить влияние инерционности двигателя на работу системы. Небольшие массы муфты не требуют большого по мощности управляющего сигнала, вследствие чего их быстродействие значительно выше, чем у реверсивных двигателей. [18]
Обычные электромашинные усилители постоянного тока во многом отличаются рт хорошо известных менее мощных типов усилителей. Они медленно реагируют на входные сигналы и имеют некомпенсированное время реакции до 1 сек и более, тогда как постоянная времени у ламповых усилителей исчисляется микросекундами. Вследствие нелинейных эффектов, таких как, например, низкая начальная магнитная проницаемость стали, эти установки не реагируют на входные сигналы ниже некоторого уровня мощности. Мощные электромашинные усилители не могут работать удовлетворительно при мощности управляющих сигналов менее нескольких десятых ватта. В таких случаях для предварительного усиления слабых управляющих сигналов применяются ламповые или магнитные усилители. [19]
Ведущий вал вращается приводным двигателем, а ведомый вал связан с нагрузкой. Муфта называется электромеханической, если для передачи механического момента используются электрические явления. Управление муфтой осуществляется при этом с помощью электрического сигнала, следовательно, она представляет собой преобразователь электрического сигнала в механический вращающий момент. Так как развиваемая на ведомом валу мощность много больше мощности управляющего сигнала, электромеханическая муфта осуществляет также и усиление мощности сигнала. Двигатель, вращающий ведущий вал, в энергетическом отношении играет ту же роль, что и источник питания в обычном электрическом усилителе. В обоих случаях входной электрический сигнал управляет потоком мощности от этого источника в нагрузку, как водопроводный кран управляет потоком воды. [20]
Переключение тиристоров током управляющего электрода имеет большое преимущество. Во-первых, оно позволяет током управляющего сигнала переключить тиристор при различных анодных напряжениях f / H. В импульсном режиме они могут коммутировать токи, в 100 раз превышающие предельно допустимый постоянный ток. Тиристор средней мощности КУ202 способен переключать импульсную мощность до 12 кВт при мощности управляющего сигнала 2 5 Вт. Время переключения тиристора из закрытого состояния в открытое не превышает нескольких микросекунд. [21]
 |
Электрические схемы оптоэлектронных микросхем. [22] |
На рис. 8.13 показаны электрические схемы некоторых других типов оптоэлектронных микросхем. Ключевая микросхема ( рис. 8.13, а ] включает в себя быстродействующую диодную оптоэлектронную пару, согласованную с монолитным кремниевым усилителем. Она предназначена для замены трансформаторных и релейных связей в логических устройствах ЭВМ и дискретной автоматики. Аналоговый ключ ( рис. 8.13, б) относится к линейным схемам с оп-тоэлектронным управлением. При мощности управляющего сигнала 60 - 80 мВт параметры прерывателя достигают значений, необходимых для стандартных полупроводниковых микросхем. [23]
Страницы: 1 2