Cтраница 1
Мощность накачки при этом должна лишь немного превышать пороговую, что позволяет получить наиболее короткие импульсы. [1]
![]() |
Энергетическая схема трех - и четырехуровневых оптических квантовых генераторов.| Схема энергетических уровней ионов хрома в рубине. [2] |
Мощность накачки, необходимая для создания инверсной заселенности, легче всего достигается в виде света импульсных ламп-вспышек, поэтому большая часть ОКГ на твердых телах работает в импульсном режиме. [3]
![]() |
Сравнение двух различных механизмов усиления. [4] |
Мощность накачки МУ относительно невелика ( 10 - 50 мет), а частота ее должна в 2 - 4 раза превышать рабочую частоту усилителя. Требования к стабильности амплитуды и частоты накачки, как правило, удовлетворяются при использовании обычного клистрона. [5]
Поэтому мощность накачки пропорциональна квадрату плотности тока газового разряда. [6]
![]() |
Зависимость эффективности преобразования энергии в лазерной среде от отношения ky c / a0. [7] |
Если мощность накачки и плотность лазерного излучения распределены по объему активной среды не слишком неравномерно, формула (3.17) дает оценку тах всего устройства в целом. Отметим, что достижимая эффективность преобразования энергии определяется только характеристиками возбужденной среды ( а именно отношением fcyc / a0) и не за-висит даже от того, в генераторной или усилительной схеме эта среда используется. Необходимо только при любой схеме лазерного устройства обеспечить оптимальную плотность генерируемого или усиливаемого излучения. [8]
Увеличение мощности накачки приводит к генерации стоксовых линий высших порядков в результате каскадного ВКР. При мощности накачки 1 5 ГВт / см2 уширенные стоксовы линии сливаются в результате совместного действия ФСМ, ФКМ и ВКР, образуя спектральный континуум в области 530 - 580 нм. На рис. 10.5 показан спектр на выходе световода, полученный при таких условиях. [10]
Значение мощности накачки, при к-ром возникает квантовое усиление, наз. [11]
Увеличение мощности накачки приводит к генерации стоксовых линий высших порядков в результате каскадного ВКР. При мощности накачки 1 5 ГВт / см2 уширенные стоксовы линии сливаются в результате совместного действия ФСМ, ФКМ и ВКР, образуя спектральный континуум в области 530 - 580 нм. На рис. 10.5 показан спектр на выходе световода, полученный при таких условиях. [13]
Увеличение мощности накачки полупроводниковых излучателей может быть достигнуто с использованием тиристоров и нелинейных коммутирующих дросселей. [14]
Это снижает мощность накачки, а главное ограничивает длину резонатора, т.е. не позволяет достигнуть высокой чувствительности системы. [15]