Мощность - рассеивание
Cтраница 4
Резистор RI - проволочный остекленный, рассчитанный на мощность рассеивания 10 вт. Величина его влияет на длительность и форму импульсов. Для получения колоколообразной формы импульсов необходимо, чтобы величина этого сопротивления была в несколько раз больше индуктивного сопротивления первичной обмотки трансформатора. При указанных на схеме величинах длительность импульсов составляет 1 - 3 мсек. [46]
 |
Обобщенные кривые зй-висимости интенсивности отказов. [47] |
Анализ кривых показывает, что при условии постоянства мощности рассеивания на коллекторе с ростом температуры окружающей среды интенсивность отказов не меняется вплоть до определенного значения, после которого она резко возрастает. Это значение температуры соответствует предельной температуре перехода ПП. [48]
Приборы с дополнительной симметрией позволяют создавать схемы с мощностью рассеивания в нановаттном диапазоне в то время, как одноканальные ЗЭ имеют мощность рассеивания 0 1 - 1 мет. [49]
Типы диодов, транзисторов и тиристоров, номиналы и мощность рассеивания резисторов, номиналы и рабочие напряжения конденсаторов указаны в схемах. [50]
Из ( 25) видно, что для повышения мощности рассеивания необходимо: выполнять коллекторный переход из материала с высокой допустимой температурой ( например, кремний с / к. [51]
В этом случае величина Р определяется уже в основном мощностью рассеивания на аноде Рп ср в результате прохождения анодного тока, а не мощностью Pf, обусловленной тепловым излучением катода. [52]
 |
Объемные нагрузочные сопротивления для коаксиальных линий и волноводов. [53] |
Такие волноводные нагрузочные сопротивления используются в сантиметровом диапазоне и имеют мощность рассеивания порядка нескольких ватт. [54]
Напряжение на коллекторе полупроводникового триода равно - 50 в, а мощность рассеивания на нем составляет 3 вт. [55]
Напряжение на коллекторе полупроводникового триода равно - 50 в, а мощность рассеивания на нем составляет 3 вт. [56]
Подобные нагрузочные сопротивления применяются в диапазоне волн до 10 см на мощность рассеивания до нескольких десятков ватт. При использовании принудительного охлаждения мощность рассеивания поверхностных нагрузочных сопротивлений коаксиальной линии может быть увеличена до нескольких сотен ватт. [57]
ИС путем объединения работающих друг на друга логических элементов заметно уменьшает мощность рассеивания таких ИС [1.33] по сравнению с аналогичной аппаратурой на ИС с низким уровнем интеграции. [58]
 |
При нцип устройства поверхностно-барьерного транзистора. [59] |
Все эти транзисторы работают при напряжении коллектора до 10 в и допускают мощность рассеивания в приборе 100 мет. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5