Импульсная мощность

Cтраница 3

Поверхностная и объемная енотовая прочность лазерных диэлектрнчееких кристаллов. [31]

Такие величины импульсной мощности вполне оправдывают уже привившееся к таким О КГ определение - лазеры гигантских импуль-соп. [32]

Верхний предел измеряемой импульсной мощности определяется пробойной прочностью конструкции и достигает 100 кет. Нижний предел ограничен внешними вибрациями, которые соответствуют измеряемой мощности около 0 1 вт. [33]

Увеличение же импульсной мощности излучения до уровней порядка 1 кВт достигается путем создания многоэлементных ( многодиодных) излучателей. [34]

Рабочие уровни импульсной мощности РЗП ограничены не только сверху, но и, как правило, снизу. При мощности Риманс производится испытание РЗП на долговечность. [35]

Чтобы измерить импульсную мощность, первичный измерительный преобразователь ваттметра, очевидно, должен обладать достаточным быстродействием. [36]

Хаотиче ские пульсации излучения рубинового генератора. [37]

Как видно, импульсная мощность, достигаемая в процессе установления колебаний, значительно превышает стационарное значение. С увеличением добротности резонатора импульсы излучения сближаются, а время установления стационарного состояния уменьшается. [38]

В элементах первого импульсная мощность имеет величину от единиц до сотен киловатт, в элементах второго - не превосходит, как правило, 100 мет как импульсной, так и непрерывной ( в цепи гетеродина) мощности. Функционально тракт низкого уровня мощности удобно подразделять на канал сигнала, канал АПЧ и канал гетеродина. [39]

Лазер с модуляцией добротности резонатора. [40]

Для таких лазеров импульсная мощность достигает десятков мегаватт. Посмотрим на рис. 11, на нем изображен лазер с модуляцией добротности резонатора. Одно из зеркал выполнено глухим - левое, а правое зеркало расположено на оси электродвигателя. Если теперь резко перевести правое зеркало в положение, когда оно станет перпендикулярно оси активного вещества, то добротность резонатора станет максимальной. В стержне мгновенно возникает генерация. Вся энергия, запасенная в возбужденных ионах активного вещества, высвобождается в одном коротком импульсе. [41]

Датчики для измерения импульсной мощности, основанные на эффекте изменения проводимости полупроводника в электромагнитном поле, обладают очень хорошими свойствами. Расчеты показывают, что погрешность датчика не зависит от частоты до 1010 Гц из-за безынерционности разогрева носителей тока в полупроводниковом материале. Градуировка датчиков принципиально возможна по видеоимпульсному сигналу, что значительно уменьшает погрешность калибровки датчика по сравнению с погрешностью калибровки по СВЧ мощности, так как в последнем случае погрешность увеличивается при пересчете средней мощности в импульсную. [42]

Режимы работы источника импульсной мощности, при которых допустимо применение термисторных ваттметров, должны указываться в описаниях к приборам. [43]

Мощность Я3аж представляет собой Максимальную импульсную мощность, которая проходит через РЗП так Же, как слабый сигнал, без существенного Ослабления. [44]

Если на диод воздействует импульсная мощность, причем длительность импульса значительно меньше времени релаксации тт, то, очевидно, диод сможет выдержать большую мощность, чем в стационарном режиме. Будем считать, что максимальная температура, достигаемая к моменту окончания импульса, не должна превосходить некоторого определенного значения Тимп. [45]

Страницы: 1 2 3 4