Максимально допустимая мощность
Cтраница 1
Максимально допустимая мощность в импульсе на управляющем электроде - величина мощности, которая ие должна быть превышена ни при каких условиях. [1]
Максимально допустимая мощность Ратах - максимальная мощность, рассеиваемая на аноде P & UaIa, при которой не снижается установленный временной ресурс работы лампы. [2]
Максимально допустимая мощность в импульсе РкМ вычисляется путем умножения / кЛ1 на напряжение на коллекторе. Что касается максимально допустимых токов базы, то здесь возникают дополнительные трудности. Так, например, ток / бт связан с током 1кт через hi 3 если указать / бт, исходя из самого малого значения / гао. Применив его для транзисторов, у которых Л2is больше выбранного нами, мы с большой вероятностью будем выводить транзисторы из строя, так как 1кт будет выше заданного, определенного заранее; если указать / бт, исходя из самого большого статистического значения / lais. [3]
 |
Вольт-амперная характеристика управляющего электрода тиристора. [4] |
Максимально допустимая мощность потерь АЯУ тах должна быть такой, чтобы вызываемый ею дополнительный нагрев тиристорного элемента не превышал 5 ч - 7 С. В противном случае возможно повреждение прибора. [5]
 |
Схемы электронной настройки колебательных контуров. [6] |
Максимально допустимая мощность Рнакс - максимальное значение мощности, рассеиваемой на варикапе, при котором обеспечивается заданная надежность при длительной работе. [7]
 |
Принципиальная схема пуска компенсатора.. - пусковой выключатель. 2 - линейный выключатель. 3 - бетонный реактор. 4 - разрядное сопротивление. 5 - контактор. S - автомат гашения поля. [8] |
Максимально допустимая мощность в этом режиме составляет 65 % от нагрузки на водородном охлаждении. Для приработки щеток и контактной поверхности колец компенсатор должен проработать на воздушном охлаждении не менее 10 суток. Перевод на водородное охлаждение производится в соответствии с инструкцией по эксплуатации системы водородного охлаждения. [9]
 |
Зависимость статических характеристик полевых транзисторов от температуры. [10] |
Максимально допустимая мощность, рассеиваемая в канале полевого транзистора, определяется формулой ( 2 - 19), справедливой для всех полупроводниковых приборов. [11]
Максимально допустимая мощность потерь на аноде Ра шкс зависит от размеров, конструкции и материала анода. Она является важным параметром для каждой лампы. Величина Р амакс ле-жит в пределах от десятых долей ватта до десятков ватт и даже до многих киловатт у мощных ламп. [12]
Максимально допустимая мощность потерь на аноде зависит от материала, конструкции и размеров анода. [13]
Максимально допустимая мощность, рассеиваемая стабилитроном, определяется по формуле (3.9) или (3.10), и зависит от тех же факторов, что и у обычного диода. [14]
Максимально допустимая мощность, рассеиваемая стабилитроном, определяется по формуле (3.6) и зависит от тех же факторов, что и у обычного диода. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5