Максимально допустимая мощность - рассеивание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если сложить темное прошлое со светлым будущим, получится серое настоящее. Законы Мерфи (еще...)

Максимально допустимая мощность - рассеивание

Cтраница 2


Следствием использования нагрузок с малым полным сопротивлением является небольшой коэффициент усиления по мощности в выходной ступени. Выход представляет собой источник тока ( 1 / / а RL) Для величин нагрузок, обычно используемых в усилителях мощности. Так как в большинстве случаев между реальной нагрузкой и ступенью, работающей в режиме класса В, используется выходной трансформатор, можно подобрать величину нагрузки по переменному току в первичной обмотке выходного трансформатора, на которую работает транзистор. К сожалению, RL не может выбираться только из условия получения максимального коэффициента усиления по мощности, оно, кроме того, ограничено величиной максимально допустимой мощности рассеивания и пробивным напряжением коллектора.  [16]

17 Полевой транзистор с управляемым р-л-переходом. [17]

Работа этих транзисторов основана на модуляции эффективного сечения канала, которую осуществляют изменением толщины запирающего слоя обратно смещенного р-и-перехода. Область, от которой начинают движение основные носители, называют истоком, а область, к которой движутся основные носители, - стоком. Область, используемая для управления тока, протекающего через канал, называют затвором. Источник Е создает отрицательное напряжение на эмиттере. Поскольку р-я-переход включен в обратном направлении, входное сопротивление прибора очень велико. Отрицательное напряжение, при котором токопроводящий канал окажется перекрытым, называют пороговым или напряжением отсечки. К параметрам, характеризующим максимально допустимые режимы, относятся максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, между затвором и истоком и максимально допустимая мощность рассеивания в транзисторе.  [18]

19 Полевой транзистор с управляемым р-л-переходом. [19]

Работа этих транзисторов основана на модуляции эффективного сечения канала, которую осуществляют изменением толщины запирающего слоя обратно смещенного р-и-перехода. Область, от которой начинают движение основные носители, называют истоком, а область, к которой движутся основные носители, - стоком. Область, используемая для управления тока, протекающего через канал, называют затвором. Источник Е создает отрицательное напряжение на эмиттере. Поскольку р-и-переход включен в обратном направлении, входное сопротивление прибора очень велико. Отрицательное напряжение, при котором токопроводящий канал окажется перекрытым, называют пороговым или напряжением отсечки. К параметрам, характеризующим максимально допустимые режимы, относятся максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, между затвором и истоком и максимально допустимая мощность рассеивания в транзисторе.  [20]



Страницы:      1    2