Максимально допустимая мощность - рассеяние
Cтраница 2
В таблице приняты обозначения: Ртах рас - максимально допустимая мощность рассеяния; 6раб - рабочее напряжение; Umax - максимально допустимое напряжение; Лт - темновое сопротивление; / св - световой ток; / т - темновой ток; Тсп - время спада тока при выключении; ГНр - время нарастания тока при включении; тах - максимум спектрального распределения длин волн в диапазоне фоточувствительности прибора. [16]
 |
Однотактный каскад мощного усиления, работающий в режиме класса А.| Динамические характеристики триода, работающего в режиме класса А. [17] |
А ( схема рис. 6.11) зависит как от максимально допустимой мощности рассеяния выбранного триода, так и от его максимально допустимых тока и напряжения коллектора. [18]
При работе триода в условиях повышенной температуры окружающей среды максимально допустимую мощность рассеяния уменьшают. [19]
 |
Однотактный каскад. [20] |
При работе транзистора в условиях повышенной температуры окружающей среды максимально допустимую мощность рассеяния уменьшают. [21]
Выше уже отмечалось, что величина рабочего напряжения болометра V определяется максимально допустимой мощностью рассеяния, а также возникновением токовых шумов, зависящих от силы тока в цепи болометра. И и позволяющее повысить V, опять-таки приводит к увеличению чувствительности. [22]
 |
Применяемые типы корпусов транзисторов. [23] |
В связи с тем что температура р-и-перехо-да не должна превышать определенного значения 9 -, максимально допустимая мощность рассеяния зависит от режима охлаждения. В паспортах указывается обычно максимальная мощность рассеяния Л мам ПРИ температуре корпуса, равной 25 С. Выше этой температуры мощность рассеяния должна быть ниже указанного максимального значения, так как иначе температура 9j будет превышена. Типовое значение 9, равно 90 С для германиевых и 175 С для кремниевых транзисторов. Если транзистор рассеивает мощность Р то его p - n - переход нагревается относительно корпуса на Д90 Кшо Л гле K hG - тепловое сопротивление между полупроводником и корпусом. Таким образом, р-п-переход нагревается относительно окружающей среды на ДЭ ( Rtho R PV. [24]
 |
Вольт-амперные характеристики термистора с сопротивлением R ( 293 К 830 кОм. [25] |
Основными параметрами полупроводниковых ТС являются: номинальное сопротивление, ТКС, интервал рабочих температур, максимально допустимая мощность рассеяния. [26]
Численные значения основных параметров некоторых термисторов прямого подогрева приведены в табл. 8.1, где значения максимально допустимой мощности рассеяния, коэффициента рассеяния и коэффициента энергетической чувствительности относятся к тер-мисторам, находящимся в спокойном воздухе, температура которого равна температуре, при которой нормализованы остальные параметры термисторов. [27]
При сравнении транзисторов разных типов необходимо учитывать различие в токах / кн, обычно отражающих максимально допустимую мощность рассеяния, так как достижение малой инерционности представляет собой тем более сложную техническую задачу, чем мощнее прибор. [28]
 |
Осциллограмма установления стационарных автоколебаний в генераторе на 2 - 28. [29] |
Рассмотренные выше схемы генераторов почти гармонических колебаний принципиально не позволяют получить колебания, мощность которых превосходит максимально допустимую мощность рассеяния на коллекторе применяемого полупроводникового триода. От этого недостатка свободны схемы, использующие ключевой режим работы триода. [30]
Страницы: 1 2 3 4