Нагрев - пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Поддайся соблазну. А то он может не повториться. Законы Мерфи (еще...)

Нагрев - пленка

Cтраница 3


Теплота из нижних слоев передается лежащим выше слоям материала как за счет конвекции, так и в результате термодиффузии, что обусловливает увеличение скорости нагрева пленки по всему ее объему.  [31]

Черные лаки по сравнению с масляными дешевле, образуют пленки менее гигроскопичные, но зато менее эластичные и более подверженные действию растворителей; при нагреве пленки этих лаков склонны к размягчению. Поэтому в качестве электроизоляционных используют не чисто битумные, а масляно-битумные лаки.  [32]

Затем она подается в верхнюю камеру испарительного аппарата первой ступени 3, из которой направляется к насадочным устройствам, создающим стекающую по внутренней поверхности труб пленку опресняемой воды. Нагрев пленки жидкости в первой ступени производится внешним энергоносителем. Образовавшийся пар переходит в последующие ступени 4 для обогрева их поверхностей. Пар после последней ступени охлаждается в охладителе дистиллята.  [33]

34 Влияние температуры пи электрическое сопротивление пленки карбида молибдена толщиной fiOO А и процессе unrpciiu ( О и охлаждения (.| Изменение электрического сопротивлении при нагреве и охлаждении пленки карбида мплнбдша толщиной 2 ( 10 А. [34]

Характер изменения ТКС, рассчитанного по обратимым участкам кривых в интервале 20 - 130J С, в обоих случаях одинаков; с ростом температуры в вакууме коэффициент увеличивается. После нагрева пленок до 550 С ТКС становится близким к нулю.  [35]

Соотношение этих конфигураций в пленке в значительной степени зависит от условий выращивания. При нагреве пленок до температур, превышающих 300 С, происходит частичная потеря водорода. Оборванные связи в a - Si: H могут находиться в трех зарядовых состояниях: нейтральном, положительном и отрицательном.  [36]

Торцовая термоимпульсная сварка более экономична, чем сварка с непрерывным подводом тепла. Она не вызывает излишнего нагрева пленки и частей сварочной установки, а следовательно, не нужно их искусственное охлаждение. Длина сварного шва может быть неограниченной. Оборудование для торцовой термоимпульсной сварки несложно и просто в эксплуатации.  [37]

38 Схема радиоактивного толщиномера. [38]

Процесс ориентации идет за счет нагрева аморфной пленки и разности линейных скоростей групп валиков. Группа медленно вращающихся валиков служит для нагрева пленки до температуры, близкой к температуре стеклования. Группа быстро вращающихся валиков одновременно служит для ориентации и охлаждения ориентированной пленки. Ориентация происходит в узком зазоре между ориентирующим и первым охлаждающим валиком. Теплоносителем для обеих групп валиков служит вода.  [39]

В производстве декоративных фанеры, облицовки, пластика применяют пленочные карбамидные клеи, представляющие собой бумагу, пропитанную мочевино - или меламиноформальде-гидной смолой. Отверждение этих клеев осуществляется за счет нагрева бумажной пленки между плитами пресса.  [40]

41 Установка для проявления пленочного фоторезиста.| Установка для снятия пленочного фоторезиста 206. [41]

Адгезия СПФ к металлической поверхности заготовок плат обеспечивается разогревом пленки фоторезиста на плите до размягчения с последующим прижатием при протягивании заготовки между валками. Установка снабжена термопарой и прибором контроля температуры нагрева пленки фоторезиста. На установке можно наносить СПФ на заготовки шириной до 600 мм со скоростью их прохождения между валками 1 0 - 3 0 м / мин. Фоторезист нагревается до температуры 110 - 120 С.  [42]

Установка для поперечной ориентации состоит из камеры, ме ханизма захвата пленки с индивидуальным приводом и системы обогрева. Камера разделена по длине на несколько зон: предвари тельного нагрева пленки ( 4 м), ориентации ( 4 м), закалки ( 2 м), охлаждения ( 2 м), и обогревается воздухом. Температура по зонам регулируется в пределах 90 - 240 С.  [43]

Голограмма, записанная на магнитной пленке, восстанавливается в пучках проходящего или отраженного света. Для стирания голограммы создается сильное внешнее магнитное поле или производится нагрев пленки до температуры выше точки Кюри.  [44]

Совершенно другая картина наблюдается в аморфной среде, где большими значениями обладают как скорость роста кристалла и, так и частота зародышеобразования J. Действительно, при низких температурах величины J, и возрастают с нагревом пленки, так что выделение тепла кристаллизации способствует ее течению.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5