Надежность - работа - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Надежность работы полупроводниковых приборов в аппаратуре в значительной степени определяется электрическими режимами их использования. [1]
Надежность работы полупроводниковых приборов в аппаратуре в значительной степени определяется электрическими режимами их использования. Характерно, что для большинства типов приборов надежность незначительно снижается при увеличении электрического режима до тех пор, пока он не приближается к предельно допустимым значениям. При электрических режимах, близких к предельным или превышающих их, надежность приборов резко снижается. [2]
Надежность работы полупроводниковых приборов зависит от правильного выбора рабочих напряжений, токов и мощностей, которые должны быть существенно ниже предельных величин. Надежность диодов и транзисторов возрастает в десятки раз при уменьшении рабочего напряжения до 70 % предельного. Рекомендуется ограничивать рабочие токи через полупроводниковые приборы ( в том числе импульсные) величиной, не превышающей 70 % предельной. [3]
Надежность работы полупроводниковых приборов определяется условиями их эксплуатации. Поэтому для нормальной работы приборов необходим эффективный отвод тепла от рабочего элемента. [4]
Надежность работы полупроводниковых приборов определяется не только их собственной ( производственной) надежностью, определяемой по результатам испытаний на долговечность и срок службы ( в различных условиях окружающей среды и электрических нагрузок), но и условиями и режимами эксплуатации. [5]
Для увеличения надежности работы полупроводниковых приборов следует снижать рабочие напряжения на них. [6]
 |
Зависимость интенсивности отказов от величины рассеиваемой мощности маломощных диффузионных транзисторов ( а и транзисторов средней. [7] |
Хотя в принципе надежность работы полупроводникового прибора повышается с облегчением режима, однако надежность будет определяться не только режимом, но и конкретным вариантом схемы. [8]
Характер структурных дефектов, приводящих к изменению электрофизических свойств полупроводников, подвергнутых радиационным воздействиям, имеет фундаментальное значение в вопросах об устойчивости параметров и обеспечении надежности работы полупроводниковых приборов, широко применяемых в автоматике современных летательных аппаратов, ядерной энергетике и других практически важных областях. В чисто научном плане проблема радиационной стойкости кристаллических тел вообще и полупроводниковых кристаллов в частности сводится к выяснению сложных механизмов взаимодействия первичных радиационных дефектов с атомами легирующих ( или остаточных) примесей, врожденными дефектами структуры кристалла, а также тех последствий ( начиная с изменений в зонной структуре), к которым эти взаимодействия приводят. [9]
В современной электронной технике и радиотехнике одним из главных требований является надежность и долговечность работы отдельных элементов, блоков и аппаратуры в целом. Установлено, что стабильность и надежность работы полупроводникового прибора и ИМС прежде всего определяется состоянием поверхности полупроводника и характером ее взаимодействия с окружающей средой. Вследствие этого характеристики поверхности необходимо стабилизировать на уровне, заданном условиями эксплуатации прибора, а поверхность приборов, особенно в местах выхода p - n - переходов, надежно защищать от воздействия внешней среды. [10]
При включении на RC-нагруз-ку спад напряжения на приборе замедляется, а скорость нарастания тока задается прибором, причем амплитуда тока возрастает за счет энергии, запасенной в конденсаторе ( рис. В. С-нагрузке прибор быстро выключается по току ( длительность этого процесса определяется собственным быстродействием прибора), а нарастание напряжения затягивается во времени; при RL-нагрузке спад тока замедляется ( определяется постоянной времени п), а скорость изменения напряжения задается прибором, причем амплитуда напряжения возрастает за счет энергии, запасенной в индуктивности нагрузки ( рис. В. Траектории динамической рабочей точки во время переходных процессов включения и выключения полупроводникового прибора показаны на рис. В. С-нагрузку характеризуется повышенными потерями мощности ( рис. В. L-нагрузку энергетически наиболее благоприятно для прибора; наихудший с этих позиций режим выключения полупроводникового прибора имеет место, наоборот, при / L-нагрузке; С-нагрузка обеспечивает при выключении наименьшую мощность потерь в приборе. Соответственно должна меняться оценка надежности работы полупроводникового прибора с учетом влияния комплексной нагрузки. [11]
Страницы: 1