Надежность - транзистор
Cтраница 2
Места выхода р-и-переходов планарного транзистора на поверхность кристалла полупроводника оказываются под слоем диоксида кремния, который является хорошим диэлектриком. Он служит защитой поверхности кремния от внешних воздействий, повышая стабильность параметров и надежность транзисторов. [16]
Места выхода р-л-переходов планарного транзистора на поверхность кристалла полупроводника оказываются под слоем диоксида кремния, который является хорошим диэлектриком. Он служит защитой поверхности кремния от внешних воздействий, повышая стабильность параметров и надежность транзисторов. [17]
 |
Схема двухтактного усилителя, питаемого переменным напряжением. [18] |
Данный усилитель является существенным улучшением транзисторных сервоусилителей. Использование таких устройств позволяет уменьшить размер, вес и требования к иеточнику питания. Более высокий коэффициент полезного действия приводит к повышению надежности транзисторов, ослаблению требований к теплоотводу и как следствие к увеличению допустимой температуры окружающей среды. [19]
В работах [5, 7, 13-15] имеются краткие упоминания о закорачивании коллектора с эмиттером при перегрузках сплавных приборов на основе вплавления индия и его сплавов. Авторы указывают на лроплавление германия индием как на причину замыкания. Сообщают, что в приборе образуются сквозные дырки. Если это так, то что они из себя представляют и как повысить качество и надежность транзисторов. [20]
Страницы: 1 2