Cтраница 1
Амплитуда отраженного импульса антисимметрично моды зависит от протяженности дефекта, его раскрытия, ширина же дефекта влияния на нее не оказывает. [1]
График зависимости амплитуды отраженных импульсов отвремени представляет собой дискретный случайный процесс. [2]
При наличии потерь амплитуда отраженного импульса, воздействующего на луч приемной трубки, уменьшится в е2а раз, где а - километрическое затухание, Нп, для импульсов данной формы, а 1Х - расстояние от начала линии до места неоднородности. Кроме того, величину коэффициента отражения в месте неоднородности можно найти по величине наблюдаемой амплитуды отраженного импульса, если предварительно заснять ряд амплитуд отраженных импульсов при определенном усилении, известных коэффициентах отражения, на известных расстояниях и при известном затухании цепи. [3]
На рис. 5 показана зависимость амплитуды отраженных импульсов нормальных волн от расслоений и кромки при изменении угла ввода колебаний. [4]
При измерениях о самыми короткими образцами амплитуды отраженных импульсов мало отличаются друг от друга, тогда как для самых длинных образцов различие амплитуд двух соседних отраженных импульсов может оказаться существенным. [5]
Размеры дефектов чаще всего определяют по величине амплитуды отраженных импульсов и зависимости ее от координат преобразователей. [6]
Измерение коэффициента затухания ультразвука методом фиксированного расстояния производится сравнением амплитуд отраженных импульсов и импульса однократного прохождения. При этом на экране трубки аттенюатором устанавливается постоянная величина изображения импульса. [7]
![]() |
Эталонный образбц для определения размеров дефектов в цилиндрических изделиях. [8] |
Оценка истинных размеров дефекта в испытуемом изделии производится путем сравнения амплитуды отраженного импульса от дефекта в данном изделии с искусственными дефектами ( отверстиями) в эталонном образце. При этом можно установить, к какому дефекту по величине отраженного сигнала приближается найденный дефект. Импульс, отраженный от скопления мелких дефектов ( газовых пузырей, шлаков и структурных неодпородностей), условно приравнивается эквивалентному импульсу, отраженному от дефекта в эталонном образце. [9]
![]() |
Блок-схема индикатора типа В. [10] |
На экране возникает импульс, амплитуда которого тем больше, чем больше амплитуда отраженного импульса на входе приемника. [11]
![]() |
Блок-схема индикатора типа А. [12] |
На экране возникает импульс, амплитуда которого тем больше, чем больше амплитуда отраженного импульса на входе приемника. Первый импульс попадает на индикатор с передатчика станции. Второй подается с выхода приемника. [13]
![]() |
Определение расстояния до места неоднородности по меткам на экране импульсного. [14] |
Сняв такую характеристику для справной цепи ( неоднородности настолько малы, что амплитуды отраженных импульсов лежат в пределах допустимого), можно затем при нарушениях работы цепи быстро проверить эту характеристику и по наличию получившихся на характеристике выбросов судить о месте и величине новых неоднородностей. Если эти выбросы появляются периодически, то они указывают на периодически появляющееся и исчезающее повреждение. Место повреждений такого рода другими методами обнаружить весьма трудно. [15]