Cтраница 1
Амплитуда управляющего импульса не должна быть больше значения / ус, называемого током спрямления, так как при / у / Ус вольт-амперная характеристика тринистора подобна характеристике обычного полупроводникового диода, в которой отсутствует участок отрицательного сопротивления. [1]
Амплитуда управляющего импульса не должна быть больше значения / ус, называемого током спрямления, так как при / у / ус вольт-амперная характеристика тринистора подобна характеристике обычного полупроводникового диода, в которой отсутствует участок отрицательного сопротивления. [2]
Амплитуда управляющих импульсов должна быть не ниже максимального тока спрямления для данного типа тиристоров и не превышать допустимой величины. [3]
Амплитуда управляющего импульса не должна быть больше значения / ус, называемого током спрямления, так как при / у / ус вольт-амперная характеристика тринистора подобна характеристике обычного полупроводникового диода, в которой отсутствует участок отрицательного сопротивления. [4]
Амплитуда управляющих импульсов прямоугольной формы равна 4 В. [5]
Выбор амплитуды управляющих импульсов, которые обычно подаются на анод фантастрона через диод, ограничивается противоречивыми условиями. С одной стороны, величина этой амплитуды должна быть не менее определенного значения, необходимого для опрокидывания ( запуска) фантастрона. С другой стороны, амплитуда пусковых импульсов для повышения стабильности работы схемы должна быть мала. Кроме того, длительность временно устойчивого состояния схемы и время обратного хода так же, как и в случае применения кипп-реле должны выбираться с таким расчетом, чтобы пусковые импульсы не поступали за время восстановления схемы. [6]
Зная амплитуду Uy управляющего импульса и выбрав сопротивление RK - ( 1 - г 3) ком, по формуле ( 4 - 97) рассчитывают сопротивление R. Имея в качестве исходного расчетного данного внутреннее сопротивление R источника управляющих импульсов, после расчета постоянной Т3 находят емкость С. [7]
ПЗС: амплитуды управляющих импульсов ( Un, U с ж 5 - 20 В), относят, потери заряда при одном переносе ( е - 10 - - 10 -), макс, тактовая частота ( /, 10 - 100 МГц), макс, и мин. [8]
Но если амплитуда управляющего импульса / уПр / спр, то тиристор ИТ снова отпирается. [9]
С ростом амплитуды управляющего импульса тока / Зд уменьшается. [10]
В зависимости от амплитуды управляющего импульса различают нормальное, инверсное и непосредственное запирание ключа. [11]
В таком трансфлюксоре к амплитуде управляющих импульсов предъявляются менее жесткие требования: ограничивается только нижний ее предел. [12]
Из приведенных кривых видно, что с уменьшением амплитуды управляющего импульса тока время задержки сильно возрастает. Скорость нарастания анодного тока на регенеративном этапе ( фронт кривой) от тока управления почти не зависит, поскольку ход процесса в этой стадии подчиняется режиму взаимного заполнения баз тиристора носителями. Это позволяет ограничить ширину импульса управления tn временем, превышающим этап задержки лишь на небольшую величину. [13]
Во всех этих схемах в отсутствие синхронизирующих шпульсов генерируется периодическое экспоненциальное запряжение, а амплитуда управляющих импульсов выби -) ается такой, чтобы ионизация лампы вызывалась га-м шпульсом. [14]
![]() |
Один из узлов схемы для автоматизированного измерении амплитуды допустимой импульсной помехи. [15] |