Амплитуда - запирающий импульс
Cтраница 1
Амплитуда запирающего импульса / упробр фиксируется по показаниям ИПТ2 и определяется потенциалом сетки Л & который изменяется регулирующим устройством. [1]
С ростом амплитуды запирающего импульса длительности ( г и / 2 уменьшаются, а заряд переключения и амплитуда обратного тока возрастают. Особенно сильное увеличение величин Qn и / в наблюдается у точечных диодов, для которых оно почти прямо пропорционально росту амплитуды запирающего импульса ыимп. [2]
 |
Зависимость BN от тока базы и напряжения коллектора для триодов типа ГП6 и П402. [3] |
Постепенно увеличивая амплитуду запирающего импульса - стремятся получить выброс с амплитудой, на Ю-20 % превышающей - насыщение коллектора / нк - После этого с помощью осциллографа измеряют величи -, ну / к. Для дрейфовых триодов это отношение и в импульсном режиме оказывается значительно меньше единицы. [4]
Время рассасывания тем меньше, чем меньше степень насыщения и больше амплитуда запирающего импульса, а также чем меньше сопротивление внешней цепи, через которую происходит рассасывание. [5]
Время рассасывания тем меньше, чем меньше степень насыщения и больше амплитуда запирающего импульса, а также чем меньше сопротивление внешней цепи, через которую происходит рассасывание. [6]
С блока 2 ( рис. 5.3), подзакрывается лампа Л3 и соответственно уменьшается амплитуда запирающего импульса. [7]
Формирование среза импульса начинается и завершается при работе триода в области отсечки. Очевидно, что по мере увеличения амплитуды запирающего импульса можно достигнуть такого режима работы, когда рассасывание избыточных носителей, накопленных как у коллекторного, так и уэмиттерного переходов, произойдет одновременно. Тогда триод из области насыщения перейдет непосредственно в область отсечки, оде начинается и завершается формирование среза импульса. [8]
С ростом амплитуды запирающего импульса длительности ( г и / 2 уменьшаются, а заряд переключения и амплитуда обратного тока возрастают. Особенно сильное увеличение величин Qn и / в наблюдается у точечных диодов, для которых оно почти прямо пропорционально росту амплитуды запирающего импульса ыимп. [9]
При измерении параметров / зап и U3ais необходимо обеспечить периодическое отпирание испытуемого тиристора и формирование запирающих импульсов, задержанных относительно отпирающих сигналов примерно на 40 - 50 икс. Это время достаточно для установления в базах тиристора заряда, соответствующего протеканию через открытый прибор тока / Пр3ап - Для автоматизации измерительного процесса в измерительное устройство следует ввести регулирующий узел, осуществляющий некоторое уменьшение амплитуды запирающего импульса в течение каждого такта, когда тиристор запирается, и увеличение / yi-p 0rp, если амплитуда управляющего импульса оказалась недостаточной для запирания ИТ. [10]
С моста Дп-Дн на базу транзистора Г4 типа МП-42 поступают выпрямленные синусоидальные импульсы частотой 100 гц. Эти импульсы приходят на Г4 в положительной полярности и запирают его на весь период своего следования. Когда амплитуда запирающего импульса уменьшается до нуля, Г4 открывается и емкость С4 мгновенно разряжается через него. Таким образом, на коллекторе Г4 формируются пилообразные импульсы частотой 100 гц. [11]
В табл. 2.1 приведены основные данные ряда отечественных и зарубежных диодов [125, 126], пригодных для этой цели. Пробивное напряжение, указанное в таблице, определяет максимальную возможную величину перепада напряжения, от которой зависит амплитуда стробимпульсов. Во избежание заметных флуктуации вершины стробимпульса, обусловленных шумами пробоя диода, амплитуда запирающего импульса обычно устанавливается меньше пробивного напряжения. [12]
 |
BAX симметричного тиристора.| Схема устройства симметричного тиристора.| Сплавно -, диффузионная тири - f - сторная структура. L. [13] |
Отношение ввл / Твыкл обычно равно 140 - 330 В / мкс. Выключение триодных тиристоров, так же как и динисторов, как правило, производится за счет уменьшения анодного тока до значения ниже / выкл на время, не меньшее Твыкл. Некоторые тиристоры ( называемые тиристорами, запираемыми по базе, или двухоперационными) могут выключаться при подаче запирающего импульса тока в базу. Амплитуда запирающего импульса значительно больше, чем / спр. [14]
С моста Дп-Дн на базу транзистора Г4 типа МП-42 поступают выпрямленные синусоидальные импульсы частотой 100 гц. Эти импульсы приходят на Т4 в положительной полярности и запирают его на весь период своего следования. В это время происходит заряд конденсатора С4 через резистор R S. Когда амплитуда запирающего импульса уменьшается до нуля, Г4 открывается и емкость С4 мгновенно разряжается через него. Таким образом, на коллекторе Г4 формируются пилообразные импульсы частотой 100 гц. [15]
Страницы: 1