Амплитуда - электрический импульс
Cтраница 1
 |
Сальтаторное распространение возбуждения в мякотном нервном волокне от перехвата к перехвату.| Ответы седалищного нерва лягушки на электрические стимулы возрастающей силы. [1] |
Амплитуда электрических импульсов, отводимых от целого нервного ствола, зависит от силы приложенного раздражителя. [2]
 |
Спектр цезия-137, снятый на однокристальном спектрометре. [3] |
Распределение амплитуд электрических импульсов от моноэнергетического у излУчения У однокристального сцинтилляционного спектрометра имеет сложное происхождение. [4]
 |
Изменение времени срабатывания измерительного триггера при уменьшении амплитуды импульса. [5] |
В процессе контроля амплитуда электрических импульсов меняется. Погрешность значительно уменьшается при введении в прибор систем автоматического и временного регулирования чувствительности ( АРУ и ВРЧ), а также при детектированном сигнале. [6]
В процессе контроля амплитуда электрических импульсов меняется. Погрешность значительно уменьшается при введении в прибор систем автоматической и временной регулировки чувствительности ( АРУ и ВРЧ), а также при недектированном сигнале. [7]
 |
Изменение времени срабатывания измерительного триггера при уменьшении амплитуды импульса. [8] |
В процессе контроля амплитуда электрических импульсов меняется. [9]
Чувствительность прибора определяется частотой УЗК, амплитудой электрического импульса, возбуждающего пьезоэлемент преобразователя, и коэффициентом усиления приемного тракта. [10]
Однако при регистрации моноэнергетического у-излучения на выходе счетно-анализируемой электронной схемы возникает определенное распределение амплитуд электрических импульсов. [11]
Важным достоинством импульсных устройств является то, что значения вторичных параметров не связаны с амплитудами отдельных электрических импульсов, поступающих с детектора. Таким образом, аппаратурные погрешности существенно уменьшаются. [12]
В электрическом устройстве на рис. 3.38, д используется амплитудный детектор, создающий выпрямленное напряжение, равное амплитуде электрических импульсов напряжения, в которые измерительный преобразователь преобразует изменения размера контролируемой детали. [13]
 |
Процесс рассеяния вторичных Y-квантов на угол больше 90. [14] |
Следовательно, поглощенная энергия в кристалле от фотоэлектронов, которые возникают вблизи поверхности кристалла, непрерывно распределена в области 0 - -, а поэтому непрерывно распределены и амплитуды электрических импульсов от нуля до некоторого максимального значения, соответствующие энергиям первичных Y-КВЗНТОВ. Из кристалла Nal ( Tl) можно наблюдать уход характеристического рентгеновского излучения иода с энергией приблизительно 0 030 Мэв. [15]
Страницы: 1 2