Накачка

Cтраница 1

Накачка осуществляется, как правило, одним из следующих двух способов: оптическим или электрическим. При оптической накачке излучение мощного источника света поглощается активной средой и таким образом переводит атомы активной среды на верхний уровень. Этот способ особенно хорошо подходит для твердотельных ( например, для рубинового или неодимового) или жидкостных ( например, на красителе) лазеров. Механизмы ушире-ния линий в твердых телах и жидкостях приводят к очень значительному уширению спектральных линий, так что обычно мы имеем дело не с накачкой уровней, а с накачкой полос поглощения. Следовательно, эти полосы поглощают заметную долю ( обычно широкополосного) света, излучаемого лампой накачки. Электрическая накачка осуществляется посредством достаточно интенсивного электрического разряда, и ее особенно хорошо применять для газовых и полупроводниковых лазеров. В частности, в газовых лазерах из-за того, что у них спектральная ширина линий поглощения невелика, а лампы для накачки дают широкополосное излучение, осуществить оптическую накачку довольно трудно. Замечательным исключением, которое следует отметить, является цезиевый лазер с оптической накачкой, когда пары Cs возбуждаются лампой, содержащей Не при низком давлении. В данном случае условия для оптической накачки вполне благоприятны, поскольку интенсивная линия излучения Не с К 390 нм ( достаточно узкая благодаря низкому давлению) совпадает с линиями поглощения Cs. Фактически этот лазер представляет интерес лишь в историческом плане, как одна из первых предложенных лазерных схем. Кроме того, его реализация на практике является весьма сложной, поскольку пары Cs, которые для обеспечения достаточного давления газа необходимо поддерживать при температуре 175 С, представляют собой весьма агрессивную среду. [1]

Три фундаментальные моды колебаний молекулы ОСЬ. Vi - симметричная валентная мода, V2 - деформационная мода, Va - асимметричная. [2]

Накачка на верхний лазерный уровень 00 1 происходит очень эффективно благодаря следующим двум процессам. [3]

Накачка: Хе - ксеноновая, W - вольфрамовая, Hg - ртутная или Кг - криптоновая лампы. [4]

Накачка осуществляется потоком фотонов с первого уровня на третий. [5]

Накачка поступает на параметрический диод через волновод 4 посредством ДРз, настроенного на частоту накачки. Диэлектрический резонатор ДР3 выполнен в виде прямоугольной пластины с отверстием. Через отверстие пропущен один из контактов диода. [6]

Схема лазера на красителе непрерывного действия фирмы Spectra Physics модель 580 А. / - пучок лазера накачки. 2 - входное зеркало. 3 - глухое зеркало. 4 - кювета с красителем. 5 - коллимирующее зеркало. 6 - поглощающее покрытие. 7 - пучок лазера на красителе. 8 - точный эталон с пьезо-элемеитами. 9 - настроечный клин. 10 - грубый эталон. / / - выходное зеркало. 12 - выходное излучение. а - угол Брюстера. [7]

Накачка осуществляется аргоновым лазером на линии 0 514 мкм. [8]

Волновая картина в кристалле, характеризующая ооращенне в 0 электрического ноли Е в точки расположения атомов для Орэг-гоьски связанных мод.| Волновая иартина поли и иглообразном кристалле л условиях эффекта Бормана. излучение с боковых граней мало. [9]

Накачка должна быть интенсивной и селективной. Эффективно возбуждая рабочие ядра, она должна минимально возмущать состояние ретпетки кристалла. Наиб, близки к выполнению указанных требований след, виды возбуждения ядер: захват тепловых нейтронов ( см. Радиационный захват), радиац. [10]

Накачка импульсной лампой переводит ионы активной среды лазера на верхний лазерный уровень, после чего возникает люминесценция. Интенсивность излучения в резонаторе при условии, что усиление превосходит потери, начинает нарастать ( nop Ko v) - К началу линейной фазы интенсивность излучения еще мала, что позволяет пренебречь изменением инверсии населенностей в усилителе и поглотителе, вызванном лазерным излучением. [11]

Центры окраски в щелочно-га-лоидных кристаллах. а F-центр. б F.| Зависимость полос люминесценции центров F, a Fg от вида матрицы ( I - интенсивность излучения. с увеличением постоянной решетки полосы сдвигаются в сторону бблыппх К.| Схема уровней, иллюстрирующая лазерное действие центров окраски. [12]

Накачка идет в широкой полосе электронно-колебат. [13]

Накачка: Хе - ксеноновая, W - вольфрамовая, Hg - ртутная или Кг - криптоновая лампы. [14]

Накачка обеспечивает поступление избыточных электронов в зону проводимости и избыточных дырок в валентную зону ( напр. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5