Амплитуда - напряженность
Cтраница 3
Интенсивность монохроматической волны пропорциональна квадрату амплитуды напряженности. [31]
Так как интенсивность пропорциональна квадрату амплитуды напряженности Е0 электрического поля электромагнитной волны, то основная задача интерференции сводится к нахождению амплитуды Е0 результирующего колебания в произвольной точке среды. [32]
 |
MN ( на поверхность кристалла сов. [33] |
Если А, - вектор амплитуды напряженности электрического поля t - й элементарной падающей волны, то его составляющие А - е и А о, направленные вдоль оптической оси кристалла и перпендикулярно к ней, равны амплитудам напряженности электрических полей необыкновенной и обыкновенной волн, порождаемых i - й волной. [34]
На рисунке наглядно видно уменьшение амплитуды напряженности магнитного поля с уменьшением толщины пластины. Это объясняется наличием вихревых токов. Чтобы вихревые токи не оказывали заметного действия, следует использовать пластины из электротехнической стали толщиной не более 0 5 мм. [35]
Условия Леонтовича устанавливают связь между амплитудами напряженностей электрического и магнитного полей на поверхности металла. [36]
ЭМИ наземного ядерного взрыва характеризуется амплитудой напряженности поля и формой импульса изменения поля с течением времени. [37]
ЭМИ наземного ядерного взрыва характеризуется амплитудой напряженности поля и формой импульса изменения поля с течением времени. Форма импульса показана на рис. 11, где на оси ординат дано отношение напряженности электрического поля для определенного времени после взрыва к максимальному импульсу, на оси абсцисс - время, прошедшее после взрыва. [38]
Таким образом, получаем, что амплитуда напряженности магнитною поля Ни минимальна при v 0 и возрастает от центра к краям пластины. [39]
Но во многих практически важных случаях амплитуда напряженности поля плавно изменяется по поперечному сечению пучка. [40]
Зависимость амплитуды магнитной индукции Втах от амплитуды напряженности поля Ятах определяют по схеме, изображенной на рис. 3.9. Методика испытаний состо-рис. Схема определения завн - ит в следующем. [41]
Форма динамической петли зависит также от амплитуды напряженности намагничивающего поля. В слабых полях форма ее близка эллипсу. Эллиптическую форму петля-приобретает и при возрастании частоты намагничивающего поля. Геометрическое место вершин динамических петель называется динамической кривой намагничивания. [42]
Форма динамической петли зависит также от амплитуды напряженности намагничивающего поля. В слабых полях форма ее близка эллипсу. Эллиптическую форму петля приобретает и при возрастании частоты намагничивающего поля. Семейство симметричных динамических петель характеризует магнитный материал при дан ны х размерах образца, форме кривой и частоте поля. Геометрическое место вердщн динамических петель называется динамической кривой намагничивания. [43]
 |
Кривые ( сигналов преобразователей функций Н, HX, / ( Ь, ft, у, ж поля. [44] |
С увеличением глубины дефекта растет максимум амплитуды напряженности поля и ее производных, а характер их изменения по поперечному сечению, определяющий длительность сигнала, практически остается неизменным. [45]
Страницы: 1 2 3 4