Cтраница 1
Амплитуда биений 2 соз ( Дш / 2) медленно периодически увеличивается и уменьшается. Это и соответствует усилению и ослаблению звука. [1]
Амплитуда биений зависит от качества оптического смесителя, который включает источники сигнального 0J & U), опорного и) излучений, интерферометр и фотодетектор и кото-рый должен обеспечивать наиболее полное согласование и пространственное совмещение амплитуцнс-фазовых распределений лучей сигнала и гетеродина в пределах чувствительной площадки фотоцетектора ( см. гл. [2]
Амплитуда биений зависит от качества оптического смесителя, который включает источники сигнального aj & U), опорного и) излучений, интерферометр и фотодетектор и кото-рый должен обеспечивать наиболее полное согласование и пространственное совмещение амплитудно-фазовых распределений лучей сигнала и гетеродина в пределах чувствительной площадки фотодетектора ( см. гл. [3]
Амплитуда биений выходного сигнала, очевидно, всегда меньше, чем в рассмотренном ранее случае воздействия частот, близких к сочсти - Однако, как будет показано ниже, она может достигать 40 % амплитуды этих биений. [4]
При заданной величине сигнала амплитуды биений меняются очень сильно, что указывает на наличие флуктуации числа и амплитуд одновременно генерирующих осевых мод. [5]
Участки суммарной кривой, на которых амплитуда биений максимальна, называются горбами, а участки, где амплитуда минимальна, - талиями. [6]
На рис. 3.7 показана экспериментальная зависимость амплитуды биений интерференционного сигнала от величины прикладываемого к световоду усилия. [8]
Таким образом, измеряя частоту и амплитуду биений интерференционного сигнала, можно определить величину и координату внешнего воздействия в предлагаемых конструкциях распределенных ПВОД. [10]
![]() |
Упрощенная схема лампового варианта БМ. [11] |
Ода колебания имеют одинаковую амплитуду, так как амплитуда биений в провале достигает нулевого значения. [12]
![]() |
Посадка пяты на разрезную втулку. / - место точечной сварки. 2 - стопорный винт. 3 - разрезная втулка. 4 - ступица пяты. [13] |
При определении места и высоты максимального прогиба выбирают около 8 - 10 наименее поврежденных мест и по результатам измерений амплитуды биения вала на этих участках строят график. [14]
Для использования биений в качестве меток, указывающих направление сдвига фазы, мощность добавочной линии генерации можно ослабить, чтобы глубина модуляции интерферограммы была меньше, чем на рис. 6.19. В случае кремния амплитуда биений при использовании тех же линий незначительна ( хотя надежно различима) при 300 К и равна нулю при Т 400 К из-за поглощения линии 1 08 мкм. Для кристалла Si толщиной 1 мм при облучении на длинах волн 1 15 и 1 08 мкм получаем ( A0) mod - 30 С. [15]