Cтраница 3
В этом случае отрезок АВ будет конгруэнтен А В0, а угол В А В0 будет определять угол наклона отрезка к фронтальной плоскости проекций. [31]
Изменяя значение неравенства ( 19), мы по сути дела, меняем длину отрезка ВС и угол наклона отрезка ОВ к оси Q. Ввиду того, что точка пересечения характеристик ( рис. 2, 3 и 4) скользит по ломаной линии ОВС, на регулировочной характеристике появляется двойной перелом с участком DE ( рис. 3), длина которого определяется длиной отрезка ВС. Для устранения двойного перелома необходимо, чтобы точки пересечения механических характеристик располагались только на одной из линий ОВ или ВС. [32]
Напряжение Unpr для различных типов диодов лежит в пределах от единиц до сотен вольт, сопротивление гдя, по-прежнему определяемое наклоном аппроксимирующего отрезка, имеет порядок един-иц ом. Зона пробоя для импульсных диодов является нерабочей; приложенное к диоду напряжение не должно превышать пробивного значения. Однако для специальных диодов ( стабилитронов) этот участок является основным. [33]
Если проецировать отрезок АВ перпендикулярно плоскости П, длина его проекции А В - АВ cos а, где а - угол наклона отрезка к плоскости проекций. [34]
При вращении отрезка вокруг оси I, перпендикулярной к плоскости V, длина вертикальной проекции не изменяется, а следовательно, не изменяется и угол наклона отрезка к вертикальной плоскости проекций. [35]
При вращении отрезка вокруг оси /, перпендикулярной к плоскости V, длина вертикальной проекции не изменяется, а следовательно, ае изменяется и угол наклона отрезка к вертикальной плоскости проекций. [36]
ОН), то волны ОН и HAi сливаются в одну волну OAi, движущуюся относительно вещества в исходном состоянии О со скоростью, определяемой наклоном отрезка OAi. Нагружение завершается в релаксационной ударной волне A L, переводящей вещество во вторую ( более плотную) фазу. [38]
При вращении отрезка вокруг оси /, перпендикулярной к плоскости V, длина вертикальной проекции отрезка не изменяется, а следовательно, не изменяется и угол наклона отрезка к вертикальной плоскости проекций. [39]
При вращении отрезка вокруг оси I, перпендикулярной к плоскости Я, длина горизонтальной проекции отрезка не изменяется, а следовательно, не изменяется и угол наклона отрезка к горизонтальной плоскости проекций. [40]
При вращении отрезка вокруг оси /, перпендикулярной к плоскости Н, длина горизонтально и проекции отрезка не изменяется, а следовательно, не изменяется и угол наклона отрезка к горизонтальной плоскости проекций. [41]
В отличие от других исследованных красителей для индиго наблюдаемая зависимость выражается двумя отрезками прямых с изломом графика при температуре - 2000 К - Энергия активации, соответствующая наклону высокотемпературного отрезка ( рис. 113, кривая б), составляет 1 75 эв и согласуется с ет и зх / - Энергия, соответствующая наклону низкотемпературного отрезка, равна 1 31 эв. [42]
В отличие от других исследованных красителей для индиго наблюдаемая зависимость выражается двумя отрезками прямых с изломом графика при температуре - 2000 К - Энергия активации, соответствующая наклону высокотемпературного отрезка ( рис. 113, кривая б), составляет 1 75 эв и согласуется с ет и зх / - Энергия, соответствующая наклону низкотемпературного отрезка, равна 1 31 эв. [43]
При перемене фронтальной плоскости проекций ( рис. 361 0) сначала проводится х через один из концов отрезка, затем проекция х новой оси Х совмещается с а, ко второму концу отрезка а в горизонтальной проекции строится перпендикуляр и откладывается координата г; проекция а будет натуральной величиной отрезка а, а угол ая, - углом наклона отрезка а к горизонтальной плоскости проекций. [44]
Наклон отрезка ВА принимают равным 5 дБ на октаву для глухих однослойных конструкций из органического и силикатного стекла и 4 дБ на октаву для конструкций из других материалов. Наклон отрезка CD составляет 8 дБ на октаву. [45]