Высокий наклон

Cтраница 1

Высокий наклон, по-видимому, связан с гем, что интенсивность линий основы также изменяется с изменением концентрации примесей. [1]

Относительно высокий наклон линии Nu4 f ( Re) при небольших значениях Re является следствием турбулизации пограничного слоя у поверхности каждой частицы и разрушения теплового ( концентрационного) следа за движущейся впереди частицей. В области же развитого турбулентного режима интенсификация процесса при увеличении Re происходит только в результате турбулизации пограничной пленки около частицы; поэтому наклон кривой здесь меньше. [2]

Относительно высокий наклон линий Nup, / ( Re) при небольших Re является следствием турбулизации пограничной: пленки у поверхности каждой частицы и разрушения теплового следа за предыдущей частицей. В области же достаточно развитого турбулентного режима ( Re 100 - 200), где тепловой след разрушен, рост Nup с Re происходит только за счет турбулизации пограничной пленки, и наклон линий здесь меньше. [3]

Высокий наклон анодной поляризационной кривой авторы связывают с пассивацией поверхности электрода, что не позволяет сделать вывод о механизме анодного процесса. Катодный процесс, как считают авторы, протекает стадийно с замедленным присоединением последнего электрона. Этот факт объясняется устойчивостью одновалентных ионов индия в глицериновом растворе. [4]

Характеристические кривые прочности ( а и схема возможного роста размера частиц с повышением концентрации красителя ( б. / - возрастает число частиц. 2-возрастает размер частиц. [5]

Кривые с высоким наклоном наблюдаются для систем, имеющих неоднородность по размеру состава частиц красителя, которая возрастает с увеличением концентрации красителя. В связи с этим следует упомянуть, что такая интерпретация характеристических кривых прочности красителя ( рис. VII. [6]

В области с высоким наклоном уменьшение концентрации ионов водорода на порядок вызывает ( на фоне избытка соли) повышение перенапряжения на 45 - 60 мв. [7]

При построении графиков в связи с высоким наклоном ОД единицы по оси почернений должен соответствовать отрезок длиной 20 мм, а по оси концентраций 100 мм. [8]

Это достигается [120, 173, 174, 306] тщательным подбором условий анализа, обеспечивающих высокий наклон градуировочного графика при определении алюминия ( тангенс угла наклона 5 - 9), а при определении марганца и железа, - работу на таких участках кривых обжига, когда взаимные влияния элементов ми-нимальны. [9]

Зависимость парциальных анодных кривых ( Г, 2 и поляризационных кривых ( 1, 2 для 0 1Л1 In ( Hg от концентрации НС1О4 в растворах 0ОШ In ( ClO4 3 - T - xMHC104 - T - NaClO4 ( ионная сила ЗЛ4. [10]

При анодном растворении дискового индиевого электрода с кольцом в 0 7М HCICU на анодной кривой также наблюдается линейный участок с высоким наклоном. [11]

Веселовской, указывалось па ненормальный вид кривой перенапряжения ( / 1, lg /) водорода в щелочных растворах на железном катоде: ненормально высокий наклон при средних плотностях: тока и очень высокие перенапряжение - при больших плотностях тока. [12]

Наклон прямой линии, проведенной через экспериментальные точки, примерно - 600 мв. Такой высокий наклон означает, что восстановление перекиси водорода контролируется химической стадией, а не стадией с переносом заряда. [13]

Приведенные выше результаты свидетельствует о том, что при достаточно интенсивном процессе разрушения ( выщелачивания) стекла состояние его поверхностного слоя оказывает существенное влияние на значения электродных потенциалов, при этом электрод теряет способность работать в качестве обратимого водородного электрода. Мы полагаем, что и на других исследованных здесь стеклах - силикатном ( I), боросиликатном ( 2) и щелочноборатном ( 4) - нестабильность потенциалов и аномально высокие наклоны имеют аналогичное происхождение. [14]

В описанных условиях поляризационные кривые имеют наклон 60 - 70 мв, сменяющийся при более высоком потенциале на 110 - 180 мв. При этом dqp / Э lg с 50 - 70 мв в области, где Ъ 60 - 70 мв, и составляет примерно 100 - 150 мв в области с высоким наклоном. Таким образом, характер зависимости электродного потенциала от концентрации формиата также соответствует безбарьерной, а затем обычной электрохимической реакции. [15]

Страницы: 1