Амплитуда - приложенное
Cтраница 1
 |
Распределение магнитного поля, создаваемого экранирующими токами в изолированном цилиндре ( а и в цепочке цилиндров, расположенной вдоль ( б или поперек ( в внешнего поля Не. [1] |
Амплитуда приложенного к проводнику переменного магнитного поля Вт часто оказывается достаточно большой, чтобы повлиять на критическую плотность тока Jc сверхпроводника, а следовательно, и на величину гистерезисных потерь Q. Для малых значений р выражения для потерь с учетом зависимости Jc ( В) являются весьма громоздкими, и здесь мы не будем их приводить. К счастью, во многих случаях, представляющих практический интерес, параметр р оказывается большим. [2]
 |
Эквивалентные схемы диода. а-общая схема. б - при прямом смещении. в - при обратном смещении. [3] |
В зависимости от амплитуды приложенного к диоду напряжения смещения и его полярности величины элементов, составляющих эквивалентную схему, принимают различные значения. [4]
 |
Зависимость дискриминанта Д и выходного напряжения вы. от входных импульсов для элемента с шириной электрода 0 2 мм. [5] |
Дискриминант определяется также амплитудой приложенного к ячейке напряжения ( рис. 6 - 19), причем наибольшая величина Д получается при поле, близком к коэрцитивному. Следовательно, величины входных импульсов должны выбираться для таких элементов в зависимости от положения максимума А. Из рис. 6 - 19 видно также, что величина выходных импульсов, начиная с определенной величины поля, линейно зависит от входных импульсов. Это становится понятным, если вспомнить, что сопротивление R элемента делается постоянным лишь выше некоторой определенной величины приложенного поля. Так как паразитные емкости увеличивают сигнал О, то ясно, что чем больше площадь электродов ячейки, тем больше величина А. [6]
L с точностью до постоянного множителя совпадает с амплитудой приложенного к контуру напряжения. Угол ср представляет собой сдвиг по фазе между током и напряжением. [7]
 |
Идеальный детектор, нагруженный на сопротивление R, шунтированное емкостью С. [8] |
R к внутреннему статическому сопротивлению детектора Rt, и не зависит от амплитуды приложенного ко входу переменного напряжения. [9]
 |
Характеристики выпрямительных схем. [10] |
В таблице обозначено: Е0 - среднее значение выпрямленного напряжения; Б - амплитуда приложенного к выпрямителю напряжения переменного тока; Е - эффективное значение напряжения переменного тока. [11]
 |
Характеристики выпрямительных схем. [12] |
В таблице обозначено: EQ - среднее значение выпрямленного напряжения; Е - амплитуда приложенного к выпрямителю напряжения переменного тока; Е - эффективное значение напряжения переменного тока. [13]
С уменьшением а и при меньших смещениях это различие становится еще менее заметным вследствие снижения амплитуды приложенного к нелинейной емкости напряжения. [14]
 |
Диаграмма работы диодного детектора.| Детекторная характеристика.| Диаграмма детектирования модулированных колебаний. [15] |
Страницы: 1 2