Электронно-лучевой накопитель
Cтраница 1
Электронно-лучевые накопители достаточно конкурентоспособны при условии хранения массивов информации более 107 - 109 бит. Для накопления больших массивов информации в электронно-лучевых ЗУ необходимо разрабатывать специальные электронно-оптические системы, новые способы адресации лучей и способы записи ( считывания) информации. Конструирование таких ЗУ во многом отличается от традиционных методов конструирования запоминающих ЭЛТ. [1]
Электронно-лучевые накопители микроизображений для ИПС выполняют в виде двух блоков: блока микрозаписи и блока хранения микроизображений и считывания. Блок микрозаписи содержит электронно-лучевую установку для экспонирования электронного резиста с устройствами управления. [2]
В электронно-лучевых накопителях с высокой плотностью записи требуется обеспечить ма ое сечение электронного луча в плоскости носителя информации. Диаметр электронного луча может уменьшаться до 0 1 - 10 мкм. Указанные размеры электронных лучей соответствуют пограничной области размеров электронных лучей обычных ЭЛТ с высоким разрешением и растровых электронных микроскопов. [4]
Сравним, например, электронно-лучевые накопители в полупроводниковыми ЗУ по потребляемой мощности. При емкости информации 107 бит потребляемая мощность составит около 100 Вт. Электроннолучевой накопитель информации о - одним накаливаемым катодом при такой же емкости потребляет менее 10 Вт. [5]
Таким образом, применение электронно-лучевых накопителей эффективно при накоплении массивов информации не менее 107 - 10е бит. [6]
Рассмотрим кратко особенности считывания информации в электронно-лучевых накопителях. Способ считывания информации в электроннолучевых накопителях полностью определяется методом записи. Поэтому рассмотрим способы считывания в зависимости от способа записи. [7]
В данной книге сделана попытка обобщить наиболее важные сведения о принципах действия, особенностях построения и информационных возможностях электронно-лучевых накопителей больших массивов информации. [8]
Влияние этих аберраций можно умень - о з шить, если для записи и считывания информации - z использовать один и тот же 0 f луч. В электронно-лучевых накопителях это условие в большинстве случаев выполняется, поэтому влияние указанных аберраций можно не учитывать. [9]
Быстродействие рассмотренных УДАЭЛ определяется в основном быстродействием триггеров, которое, в свою очередь, зависит от паразитных реактнвностей, расстояния отклоняющих пластин до экран-а и параметров полупроводниковых усилителей тока электронного луча. В некоторых схемах электронно-лучевых накопителей количество УДАЭЛ равно числу разрядов в запоминаемых словах. При этом к каждому триггеру подключается несколько десятков пар отклоняющих пластин, что значительно увеличивает паразитную емкость. [10]
И значительно уменьшить этот объем в настоящее время не представляется возможным. Поэтому максимальная удельная емкость электронно-лучевых накопителей почти полностью определяется достижимой плотностью записи информации. [11]
К настоящему време-ни разработано большое количество различных типов электронно-лучевых накопителей информации, отличающихся как по принципу записи, так и по конструктивному исполнению. Рассмотрим особенности построения наиболее типичных накопителей информации, в которых используются электростатическая и термопластическая записи. Носителем информации в устройстве является окисленная полупроводниковая пластина кремния. Полупроводниковая пластина с проводимостью р-типа покрыта тонким эпитаксиальным слоем кремния с проводимостью n - типа. Лицевая сторона n - слоя окислена так, что толщина слоя окиси кремния составляет около 0 4 мкм. Слой окиси покрыт тонкой пленкой алюминия, составляющей верхний слой МОП-структуры. [12]
 |
График зависимости минимального времени установления напряжения на отклоняющих пластинах от допустимой относительной погрешности управляющего напряжения ( а 108 с-1, L 1 / 2 18 см. [13] |
Известные устройства адресации с цифроаналоговыми преобразователями относительно просто обеспечивают максимальное число дискретных положений электронного луча, непревышающее 4096, при времени установки от десятых долей до нескольких микросекунд. Вообще же полученные значения параметров неприемлемы для большинства схем электронно-лучевых накопителей информации. Увеличить количество дискретных положений и быстродействие УДАЭЛ при адресации методом отклонения лучей можно, лишь применяя специальные меры по контролю и коррекции положения луча. [14]
Полупроводниковые усилители имеют следующие преимущества: возможность миниатюризации и изготовления методами полупроводниковой интегральной технологии, высокотемпературного обезгаживания вакуумного объема, высокие надежность и быстродействие, низкое напряжение питания. Низкое напряжение питания обеспечивает легкое управление отдельными элементами в матрице полупроводниковых усилительных структур, что расширяет возможности и улучшает параметры электронно-лучевых накопителей. Однако полупроводниковые усилители используются не только для усиления слабых электронных потоков, но совместно с электронным лучом - для генерации импульсов тока и построения различных гибридных устройств управления. [15]
Страницы: 1 2