Cтраница 3
Рассмотрим подробнее случай нитрогруппы. Увеличение ее рефракции в результате трансвлияния означает появление достаточно большого отрицательного заряда на радикале. Учитывая, что электроотрицательность азота меньше, чем кислорода, накопление отрицательного заряда будет происходить именно на атомах кислорода, что физически означает уменьшение кратности связи N77 О. Спрашивается, в случае каких металлов-комплек-сообразователей этот процесс будет происходить наиболее эффективно. [31]
Замкнутая оболочка из шести электронов характерна для циклических молекулярных систем независимо от числа атомов в кольце. Она использовалась для объяснения стабильности циклопентадиенил-аниона, как это было предвосхищено в ранних концепциях ароматического секстета, и содержалась в предсказании Дыоаром [19] существования и свойств трополона, в котором седьмой тс-элек-трон семичленной циклической системы в значительной степени оттянут кислородом. Возможность распространения идеи замкнутой оболочки на дважды отрицательный анион циклобута-диена менее ясна ввиду противоположного влияния накопления отрицательного заряда. [32]
Так как функции грА nips отличны от нуля соответственно только в окрестностях атомов А и В, коэффициенты при этих функциях определяют относительнее среднее время пребывания электрона вблизи атома А или В. Если а fi, то эти времена равны, электрон в равной степени принадлежит обоим атомам, и мы имеем дело с чисто ковалснтной связью. Если, наконец, как а, так и Р отличны от нуля и не равны между собой, то налицо случай смешанной связи, при которой в окрестности одного атома происходит накопление отрицательного заряда за счет другого атома. При этом, однако, не происходит полной передачи электрона первому атом, как это имело бы место в случае ионной связи. Таким образом, при смешанной связи электростатические силы действуют наряду с ковалентными, но ковалентность приводит к эффективному уменьшению электрического заряда ионов. [33]
Когда два металла приводят в соприкосновение, между ними возникает контактная разность потенциалов, обусловленная тем, что электроны переходят от одного металла к другому до тех пор, пока уровни Ферми не сравняются по обе стороны границы раздела. Подобный же поток электронов имеет место при соприкосновении металла с полупроводником, поскольку, как правило, свободные энергии электронов в металле и полупроводнике не равны. Так же как и в случае металлов, поток электронов приводит к накоплению отрицательного заряда в акцепторной системе ( этой системой может быть как металл, так и полупроводник в зависимости от того, относится ли последний к полупроводникам n - типа или р-типа); в результате этого энергия электронов начинает увеличиваться, пока не сравняется с энергией электронов в донорной системе, после чего поток электронов прекращается. Однако в отличие от металла приобретенный полупроводником в результате этого процесса положительный или отрицательный заряд не локализуется на поверхности раздела, а распределяется объемно на определенном расстоянии от границы раздела. Этот примыкающий к металлу граничный слой полупроводника, обогащенный или обедненный электронами, в котором поэтому образовался объемный заряд, был подробно теоретически исследован, главным образом Шоттки [68] и Моттом [69], поскольку он имеет большое значение в качестве запирающего слоя при выпрямлении тока. [34]
Потенциал поверхности диэлектрика зависит от скорости падающих на него электронов. Обладающие малой энергией медленные электроны неспособны вызвать значительную вторичную эмиссию с поверхности диэлектрика, и мишень за счет вторичной эмиссии теряет меньше электронов, чем их приносит поток медленных электронов. Вторичные электроны отводятся с помощью коллекторной сетки 8, находящейся под положительным потенциалом относительно мишени. В результате на поверхности мишени накапливается отрицательный заряд и потенциал поверхности мишени понижается. Накопление отрицательного заряда приводит к возникновению тормозящего поля вблизи мишени, препятствующего попаданию электронов на мишень. [35]
В табл. 4.4 приведено положение простых сигналов типичных протонов. Как видно из табл. 4.4, особенно сильное дез-экранирование наблюдается у NH-протонов, находящихся по соседству с кетогруппой и одновременно с бензольным ядром, у С - Н - протонов альдегидной группы, независимо от того, связана она с алкилом или бензольным ядром. Максимальное дезэкранирование протона происходит у сульфогруп-пы вследствие сдвига электронной плотности с - О - Н - связи на атом серы, несущий высокий положительный заряд. Аналогичная причина наблюдается и у альдегидов. Сдвиг сигнала протона в сильное поле у металлоорганических соединений также обусловлен накоплением отрицательного заряда на метилрадикалах. [36]
В случае образования молекулы хлора каждый атом дает и каждый атом воспринимает свою долю каждого электрона. Кроме того, так как атомы идентичны, то каждый из них дает и каждый воспринимает электроны в равной степени. В результате ни один из атомов не концентрирует вокруг себя избытка электрического заряда. В этом случае мы можем сказать, что ковалентная связь будет строго неполярной. В результате этого вокруг атома хлора произойдет накопление отрицательного заряда, а вокруг атома водорода - накопление положительного заряда; такую ковалентную связь называют полярной. Возникающая таким путем конфигурация порождает электрический диполь. Полярность любой связи является, очевидно, функцией различия в электроотрицательностях обоих связанных между собою атомов. [37]
При бомбардировке экрана потоком электронов возникает вторичная электронная эмиссия. Первичные электроны луча и вторичные электроны, возвращающиеся на экран, будут понижать его потенциал. В этом случае в пространстве между экраном и вторым анодом создается тормозящее электрическое поле, которое отражает электроны луча. Таким образом, для устранения тормозящего поля от поверхности непроводящего экрана необходимо отводить электрический заряд, обусловленный электронным лучом. Практически единственным путем компенсации заряда является использование вторичной эмиссии. При падении электронов на экран их кинетическая энергия преобразуется в энергию свечения экрана, идет на его нагрев и вызывает вторичную эмиссию. Значение коэффициента вторичной эмиссии а определяет потенциал экрана. При t / L / Kpi число уходящих от экрана вторичных электронов меньше числа первичных, что приводит к накоплению отрицательного заряда на экране, формированию тормозящего поля для электронов луча в пространстве между вторым анодом и экраном и их отражению; свечение экрана отсутствует. В этом случае потенциал экрана близок к нулю. [38]
В процессе работы экран трубки бомбардируется потоком электронов. При этом число поступающих на экран электронов должно равняться числу отводимых от него электронов; в противном случае экран постепенно будет заряжаться отрицательно, его потенциал U понизится до потенциала катода UK. В предельном случае все электроны луча будут оттолкнуты от экрана и изображение на экране исчезнет. Так как электропроводность люминофора мала, необходимый отвод электронов от экрана обеспечивается за счет вторичной эмиссии люминофора. Коэффициент вторичной эмиссии люминофора а должен быть не менее единицы. Только при выполнении этого условия число электронов, поступающих на экран, в единицу времени будет равно числу электронов, уходящих от экрана за то же время. Потенциал экрана U должен быть на несколько вольт ниже потенциала выходного электрода прожектора - анода Ua. При U3Ua между экраном и анодом возникает разность потенциалов, ускоряющая вторичные электроны, эмиттируемые люминофором, в направлении анода, а при сг: з1 число уходящих от экрана электронов будет по меньшей мере равно числу поступающих электронов. При включении луча условие U3CUa выполняется автоматически, так как электропроводность люминофора мала, и экран сразу приобретает некоторый отрицательный потенциал. Слой аквадага препятствует также накоплению отрицательных зарядов на стекле колбы, способных исказить электростатическое поле в трубке и ухудшить ее параметры. [39]