Накопление - неравновесный носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Характеристики процессов установления обратного тока ( а и падения прямого напряжения ( б у диода, обусловленные эффектом накопления неосновных носителей заряда в объеме полупроводника. [1] |
Накопление неравновесных носителей заряда при прохождении прямого тока и конечное время их рассасывания после выключения прямого тока сказываются на импульсных свойствах диодов в схемах переключения. [2]
В импульсных диодах с барьером Шотки накопление неравновесных носителей заряда в базе отсутствует. Поэтому его импульсные характеристики определяются только емкостью Сбар и временем пролета ( примерно КН1 с) электронов через высокоомный слой кремния. Импульсные диоды с барьером Шотки по своим импульсным характеристикам оказываются в настоящее время лучшими в сравнении с диодами других типов. [3]
 |
Временные зависимости тока управляющего электрода ( а, основного напряжения на тиристо ре ( б и основного тока через тиристор ( в, характеризующие процесс его включения. [4] |
Время нарастания для тиристора определяется инерционностью процесса накопления неравновесных носителей заряда в базовых областях и инерционностью перезаряда барьерной емкости коллекторного перехода. [5]
Время нарастания / иар связано с инерционностью процесса накопления неравновесных носителей заряда в базах тиристора. [6]
Для переключения триодного тиристора из закрытого состояния в открытое также необходимо накопление неравновесных носителей заряда в базовых областях. В диодном тиристоре при увеличении напряжения на нем до напряжения включения это накопление неравновесных носителей заряда происходит обычно либо из-за увеличения уровня инжекции через эмиттерные переходы, либо из-за ударной ионизации в коллекторном переходе. [8]
Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей заряда вблизи р-о перехода. Кроме того, важную роль в инерционности диода играет барьерная емкость р-п перехода. Поскольку малое значение барьерной емкости типично и для высокочастотных диодов в ряде случаев отдельные типы этих приборов могут использоваться в импульсных схемах. Известно, что роль эффекта накопления неравновесных носителей заряда ослабевает при уменьшении их времени жизни. Снижение же величины барьерной емкости достигается главным образом уменьшением площади р-п перехода. [9]
Основной причиной инерционности полупроводниковых диодов при работе их в режиме переключения является эффект накопления неравновесных носителей заряда вблизи р-п перехода. Изучение основных физических закономерностей, связанных с этим эффектом, позволяет рассчитать инерционность диода в той или иной схеме и найти технологические пути, позволяющие уменьшить эффект накопления и повысить быстродействие диода. Кроме того, важную роль в инерционности диода играет барьерная емкость р-п перехода. Поскольку малое значение барьерной емкости типично и для высокочастотных диодов, в ряде случаев отдельные типы этих приборов с успехом используются в импульсных схемах. Известно, что роль эффекта накопления неравновесных носителей заряда ослабевает при уменьшении их времени жизни. Снижение величины барьерной емкости достигается главным образом уменьшением площади р-п перехода. [10]
Для переключения триодного тиристора из закрытого состояния в открытое также необходимо накопление неравновесных носителей заряда в базовых областях. В диодном тиристоре при увеличении напряжения на нем до напряжения включения это накопление неравновесных носителей заряда происходит обычно либо из-за увеличения уровня инжекции через эмиттерные переходы, либо из-за ударной ионизации в коллекторном переходе. [11]
Для переключения триодного тиристора из закрытого состояния в открытое также необходимо накопление неравновесных носителей заряда в базовых областях. В диодном тиристоре при увеличении напряжения на нем до напряжения включения это накопление неравновесных носителей заряда происходит обычно либо из-за увеличения уровня инжекции через эмиттерные переходы, либо из-за ударной ионизации в коллекторном переходе. [13]
 |
Распределения неосновных носителей заряда для различных диодных схем включения интегрального транзистора. [14] |
Частотные свойства диодов характеризуются также временем восстановления обратного сопротивления. Основная причина, инерционности диодов при работе в импульсном режиме обусловлена процессом накопления неравновесных носителей заряда в областях транзисторной структуры. Время восстановления обратного сопротивления зависит от размеров областей транзисторной структуры, времени жизни неравновесных носителей заряда и значения прямого тока через диод. [15]
Страницы: 1 2