Cтраница 1
Накопление растворенных веществ и изменение осмотического давления клеток определяются процессами обмена веществ. Распределение веществ между клеткой и средой, благодаря сопряженным химическим реакциям, может значительно отличаться от равновесного. Осмотическое давление в организмах является стационарным состоянием, а не истинным термодинамическим равновесием. [1]
Таким образом, положительной адсорбцией называют адсорбцию, сопровождающуюся накоплением растворенных веществ в поверхностном слое. Отрицательной называют адсорбцию, сопровождающуюся вытеснением растворенного вещества кз поверхностного слоя внутрь среды. [2]
Накопление растворенного вещества в граничном слое искажает профиль скорости и снижает скорость проникания. [3]
Обратный осмос и ультрафильтрация имеют принципиальное отличие от обычной фильтрации. Если при фильтрации продукт откладывается в виде кристаллического или аморфного осадка на поверхности фильтра, то при обратном осмосе и ультрафильтрации образуется два раствора, один из которых обогащен растворенным веществом. В этих процессах накопление растворенного вещества у поверхности мембраны недопустимо, так как приводит к резкому снижению селективности и проницаемости мембраны. [4]
Обратный осмос и ультрафильтрация принципиально отличаются от обычной фильтрации. Если при фильтрации продукт откладывается в виде кристаллического или аморфного осадка на поверхности фильтра, то при обратном осмосе и ультрафильтрации образуются два раствора, один из которых обогащен растворенным веществом. В этих процессах накопление растворенного вещества у поверхности мембраны недопустимо, так как это приводит к резкому снижению селективности и проницаемости мембраны. [5]
Обратный осмос и ультрафильтрация имеют принципиальное отличие от обычной фильтрации. Если при фильтрации продукт образуется в виде твердого или аморфного осадка на поверхности фильтра, то при обратном осмосе и ультрафильтрации продуктами являются два раствора, один из которых обогащен растворенным веществом. В этих процессах накопление растворенного вещества у поверхности мембраны недопустимо, так как приводит к резкому снижению селективности и проницаемости мембраны. [6]
В процессе фильтрации сточной жидкости в течение 1 - 2 недель на поверхности почвы образуется активный фильтрующий слой. Он возникает в результате задержки взвешенных и коллоидных веществ, содержащихся в сточной жидкости, и заселения этого слоя огромным количеством аэробных микроорганизмов. Толщина активной пленки составляет 20 - 40 см. В этом слое происходит накопление взвешенных, коллоидных и растворенных веществ, а также микроорганизмов и яиц гельминтов. Благодаря чрезвычайно сильно развитой поверхности почвенных частиц осуществляется адсорбция газов, содержащихся в сточной жидкости, в том числе необходимого для жизнедеятельности микроорганизмов кислорода. [7]
Индивидуальная жидкость, находящаяся при данной температуре в равновесии со своим паром, имеет вполне определенную величину поверхностного натяжения а. Если же мы имеем раствор, то его общее поверхностное натяжение а должно зависеть как от о растворителя, так и от а растворенного вещества. Если величины а и а различны и а а, то поверхностное натяжение такой системы может быть понижено при накоплении растворенного вещества в поверхностном слое. [8]
Если кинетическая энергия их в этот момент будет достаточно велика, чтобы оторваться от сольватирующихся молекул растворителя и приблизиться к поверхности кристалла, то силовое поле поверхности кристалла может эти частицы удерживать и они снова будут занимать места в кристаллической решетке растворяемого вещества. Скорость процесса возвращения частиц растворенного вещества из раствора в кристаллическую решетку прямо пропорциональна их концентрации в растворе и будет расти по мере накопления растворенного вещества в растворе. Когда скорости процессов перехода вещества из кристалла в раствор и из раствора в кристалл сравняются, концентрация вещества в растворе перестанет изменяться - раствор станет насыщенным и установится равновесие между двумя фазами. Если объем раствора велик, то такое растворение установится не скоро. При этом неизбежно возникает процесс диффузии, в результате которого растворимое вещество будет распространяться от поверхности кристалла в глубь раствора. [9]
Таким образом, присутствие растворенного вещества всегда способствует локальному искажению структуры раот-ворителя. Если растворенное вещество существенно отличается от растворителя, то его присутствие сильно искажает кристаллическую решетку растворителя. Когда растворитель и растворенное вещество более сходны, то и отклонение от первоначальной структуры небольшое. Накопление растворенного вещества в растворителе ведет к постепенному изменению среднего значения периода решетки. Увеличение периода решетки кристалла происходит тогда, когда атом растворенного вещества заменяет атом меньшего размера или становится в свободный узел кристаллической решетки, то возникающее отталкивание от соседних атомов приводит к увеличению среднего значения периода решетки кристалла. И, наоборот, если он замещает большой атом или вызывает появление дефекта строения, то среднее значение межплоскостного расстояния уменьшается. На этом основан единственный прямой метод для определения структурного эффекта, обусловленного присутствием инородного атома - это рентгено-структурный метод, позволяющий точно измерять периоды решетки. [10]
Таким образом, присутствие растворенного вещества всегда способствует локальному искажению структура растворителя. Если растворенное вещество существенно отличается от растворителя, то его присутствие сильно искажает кристаллическую решетку растворителя. Когда растворитель и растворенное вещество более сходны, то и отклонение от первоначальной структуры небольшое. Накопление растворенного вещества в растворителе ведет к постепенному изменению среднего значения периода решетки. Увеличение периода решетки кристалла происходит тогда, когда атом растворенного вещества заменяет атом меньшего размера или становится в свободный узел кристаллической решетки, то возникающее отталкивание от соседних атомов приводит к увеличению среднего значения периода решетки кристалла. И, наоборот, если он замещает большой атом или вызывает появление дефекта строения, то среднее значение межплоскс стного расстояния уменьшается. На этом основан единственный прямой метод для определения структурного эффекта, обусловленного присутствием инородного атома - это рентгено-структурннй метод, позволяющий точно измерять периоды решетки. [11]
В гетерогенных системах пограничные слои молекул жидкостей и твердых тел, расположенные на межфазных поверхностях раздела, обладают избытком энергии Гиббса по сравнению с молекулами внутри объемов фаз. Это служит причиной физических и химических процессов, протекающих на фазовых границах. Такие процессы называют поверхностными явлениями. Важнейшие из них - адсорбционные процессы. Они понижают поверхностную энергию Гиббса системы, поэтому протекают самопроизвольно и приводят к накоплению растворенных веществ или газов на границах раздела фаз. Очевидно, чем сильнее развита поверхность раздела фаз ( высокая степень измельчения или пористости вещества), тем больше свойства системы в целом зависят от ее поверхностных свойств. Этим объясняется решающая роль поверхностных явлений для дисперсных систем, имеющих огромную площадь поверхности раздела фаз. [12]