Кривое накопление - радикал
Cтраница 1
 |
Поведение радикалов в полиэтилене при 50е С. [1] |
Кривые накопления радикалов при других температурах имеют качественно такой же характер, как и кривая, приведенная на рис. 128, однако при более высоких температурах накапливаются меньшие концентрации радикалов. [2]
Кривые накопления радикалов в смеси ( СзН8Оз Н2О) имеют два линейных участка. Спектр ЭПР радикалов на втором линейном участке идентичен спектру безводного глицерина. Замороженные растворы интенсивно окрашиваются при облучении. [4]
 |
Спектр ЭПР у-об-лученного поликристаллического аланина при 77 К. [5] |
К сожалению, точные кривые накопления радикалов при облучении сняты лишь для немногих образцов. [6]
Установил механизм радиолиза содержащих полярные группы соединений, который объясняет ход кривых накопления радикалов при облучении и свидетельствует о зависимости характера радиолиза от структуры вещества и о неравномерном распределении радикалов в облученных образцах. [7]
Эти представления подтверждаются накоплением свободных радикалов в нагруженных полимерах установленным методом ЭПР, сходство в характере Кривых накопления радикалов и зависимости податливости от времени указывает на то, что разрыв связей в цепи макромолекулы происходит не только при разрушении образца, ио и в любой момент нахождения его под нагрузкой. [8]
В последние годы В. В. Воеводским была сформулирована общая схема радиолиза соединений, содержащих полярные группы, позволившая объяснить ход кривых накопления радикалов в ходе облучения. Детальный анализ кривых накопления радикалов и данные по исследованию их рекомбинации при последующем разогреве привели к заключению о зависимости механизма радиолиза от структуры облученного вещества и о неоднородном распределении радикалов в облученных образцах. Для решения этих вопросов по инициативе В. В. Воеводского были применены новые физические методы исследования: исследование диэлектрических потерь и прямое измерение времен релаксации свободных радикалов. [9]
В последние годы В. В. Воеводским была сформулирована общая схема радиолиза соединений, содержащих полярные группы, позволившая объяснить ход кривых накопления радикалов в ходе облучения. Детальный анализ кривых накопления радикалов и данные по исследованию их рекомбинации при последующем разогреве привели к заключению о зависимости механизма радиолиза от структуры облученного вещества и о неоднородном распределении радикалов в облученных образцах. Для решения этих вопросов по инициативе В. В. Воеводского были применены новые физические методы исследования: исследование диэлектрических потерь и прямое измерение времен релаксации свободных радикалов. [10]
Нами было обнаружено явление, которое может быть объяснено процессами гибели радикалов под облучением. Это явление заключается в следующем: кривая накопления радикалов при радиолизе твердого ( при-196 С) СКД ( связей 1 - 4 - 98 %) имеет нелинейный начальный участок ( до дозы 150Мр), кривизна которого соответствует увеличению радиационных выходов радикалов GR по мере роста дозы облучения, что представляется удивительным. Обычно кривые накопления радикалов имеют начальный линейный участок, а затем наблюдаются отклонения, соответствующие запределива-нию концентраций радикалов. С увеличением дозы облучения значение GR все время возрастает, например, при дозе 20 Мр GR0 10, при 40 Мр GR0 13, при 70 Мр GR0 15, при 115 Мр GR0 17 и в интервале доз от 150 до 200 Мр GR достигает максимального значения 0 19, причем зависимость имеет линейный характер. После этого кривая накопления отклоняется в сторону запределивания концентраций. Видимо, в начале процесса облучения в высокотемпературных микрозонах рекомбинирует некоторое количество радикалов. [11]
Опыты показали, что предварительное облучение слабо влияет на кинетику накопления радикалов при низких температурах. Наоборот, при высоких температурах кинетика накопления меняется существенно. На рис. 131 приведены кривые накопления радикалов в исходном необлученном и предварительно облученном образцах. Как видно из рисунка, предварительное облучение сильно увеличивает радиационный выход радикалов на начальной стадии облучения. Специальным контрольным опытом было показано, что предварительный прогрев образца до расплавления не влияет на кинетику накопления радикалов при высоких температурах. Таким образом, изменение кинетики накопления целиком обусловлено влиянием предварительного облучения. [12]
Страницы: 1