Наличие - винтовая дислокация
Cтраница 1
Наличие винтовых дислокаций резко снижает работу образования двухмерного зародыша на гранях растущего кристалла. [1]
 |
Линейная дислокация. а - образование. б - структура. [2] |
Наличие винтовых дислокаций в кристалле облегчает достройку его решетки в процессе роста. [3]
При наличии винтовой дислокации процесс роста протекает как вращение ступени вокруг точки ее соединения с дислокацией. Таким образом, кристалл представляет собой как бы один-единственный геликоидальный слой ( фиг. Естественно, что на поверхность кристалла могут выходить несколько винтовых дислокаций; рост на них может происходить независимо или в условиях их взаимодействия, что зависит от их векторов Бюр-герса и расстояний между ними. [4]
 |
Рост грани кристалла, содержащей выход винтовой дислокации ( а и развитие спирали при росте ( о. [5] |
При наличии винтовой дислокации процесс роста протекает как вращение ступени вокруг точки ее соединения с дислокацией. [6]
При наличии винтовой дислокации кристалл как бы состоит из одной атомной плоскости, закрученной в виде винтовой поверхности. [7]
Большое значение в процессе роста кристаллов имеют винтовые и краевые дислокации, выходящие на поверхность растущего кристалла. Наличие винтовой дислокации резко снижает работу образования двухмерного зародыша па гранях растущего кристалла, а если длина края винтовой дислокации превышает длину края равновесного двухмерного зародыша, то рост кристалла может происходить без образования двухмерных зародышей путем прямого присоединения к образующемуся дислокационному выступу молекул ( атомоп) исходной фазы. Вследствие особой формы поверхности грани при наличии винтовой дислокации па ней образуется характерная спираль роста. [8]
Большое значение в процессе роста кристаллов имеют винтовые и краевые дислокации, выходящие на поверхность растущего кристалла. Наличие винтовой дислокации резко снижает работу образования двухмерного зародыша на гранях растущего кристалла, а если длина края винтовой дислокации превышает длину края равновесного двухмерного зародыша, то рост кристалла может происходить без образования двухмерных зародышей путем прямого присоединения к образующемуся дислокационному выступу молекул ( атомов) исходной фазы. Вследствие особой формы поверхности грани при наличии винтовой дислокации на ней образуется характерная спираль роста. [9]
Наличие единичной винтовой дислокации, определенное по углу закручивания, было обнаружено лишь в палладии и в сапфире. Отсутствие упругого закручивания кристалла не исключает действия дислокационного механизма роста. Возможно, что две или четное количество винтовых дислокаций разных знаков и одинаковой мощности находятся на равном расстоянии от оси кристалла; такая конфигурация не дает упругого закручивания. Дислокации могут также выходить из кристалла путем переползания. [10]
 |
Краевые дислокации.| Винтовая дислокация. [11] |
Кроме краевых различают еще винтовые дислокации. При наличии винтовой дислокации кристалл можно рассматривать как состоящий in одной атомной плоскости, закрученной в виде винтовой поверхности. [12]
При кристаллизации наращивание очередного слоя атомов становится возможным благодаря одновременному присоединению свободного атома с двух сторон у имеющихся в кристалле винтовых ступенек, показанных на рис. 68, а. Такие ступеньки могут существовать только при наличии винтовых дислокаций. [13]
Трехмерные зародыши всегда образуются на инородных металлах-основах и пассивных одноименных металлах-основах. Их дальнейший рост может происходить с образованием двухмерных зародышей, а при наличии винтовых дислокаций - без образования зародышей и приводит к формированию поликристаллического осадка. [14]
Существуют различные методы для экспериментального обнаружения дислокаций. Мы уже упоминали различные способы, с помощью которых можно наблюдать спиральные ступени на поверхности кристалла, а эти спирали являются доказательством наличия винтовых дислокаций. Однако более широко для обнаружения дислокаций применяется метод травления. [15]
Страницы: 1 2