Наличие - домен
Cтраница 2
Как указывалось выше, домены смещения поверхности ( 111) кремния Si ( 111) - 1X У-3 обнаруживаются прямыми измерениями с помощью метода ДМЭ. Наличие доменов смещения или перестройки является одним из наиболее типичных проявлений локального на молекулярном уровне характера компенсации нарушения симметрии. Подобный вид компенсации представляется естественным, если учесть, что в дисконтинууме кристалла нарушение симметрии при его разделении на две части поверхностью происходит в каждой элементарной ячейке. [16]
 |
Домены в тонкой ферромагнитной пленке.| Доменная структура в закритической пленке. [17] |
ЦМД могут быть использованы для создания запоминающих и логических устройств. При этом наличие домена в данной точке пленки соответствует значению 1, а отсутствие - значению О. [18]
 |
Магнитная восприимчивость некоторых диа - и парамагнетиков, точка Кюри ферромагнетиков. [19] |
Если в антиферромагнетике магнитные моменты атомов, направленные навстречу друг другу, не полностью взаимно компенсируются, такое явление называют нескомпенсированным антиферромагнетизмом или ферримагнетизмом. Ему отвечает наличие доменов в кристаллах, которые по поведению похожи на ферромагнетики. Степень нескомпенсированности у различных ферромагнитных веществ неодинакова. Так, например, ферриты - Fe2O3 - NiO и Fe2O3 - MnO - обладают сильным ферримагнетизмом. [20]
Между областями а и б трудно провести четкую границу. В предположении наличия антиферромагнитных доменов небольшое уменьшение восприимчивости и наличие гистерезисных явлений в области а могут быть отнесены на счет намагниченности 180 -границ между доменами. [21]
 |
Конструкция ЦМД-памяти.| Типичная структура тракта в ЦМД-памяти. [22] |
На рис. 7.19 показаны основные взаимосвязи трактов, которые управляют доменами, и главные функции, выполняемые в ЦМД-памяти. Единица представляется наличием домена, а нуль - его отсутствием. Комбинации домен - нет домена ( 1 - 0) непрерывно циркулируют в малых петлях. [23]
Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД) используют для создания как запоминающих, так и логических устройств. При этом значению Ь соответствует наличие домена в определенной точке информационной среды, а значению О - его отсутствие. [24]
Цилиндрические магнитные домены ( ЦМД), физика образования которых была изложена в § 1.4, используют для создания как запоминающих, так и логических устройств. При этом значению 1 соответствует наличие домена в определенной точке информационной среды, а значению О - его отсутствие. [25]
Различия в полярности блоков достигают предела в иономерах, содержащих небольшое количество высокополярных солеобразных мономерных звеньев, расположенных статистически вдоль неполярной углеводородной цепи. Хотя иономеры представляют собой фактически подкласс статистических сополимеров, тем не менее их свойства, обусловленные наличием доменов, образованных солеоб-разными звеньями, позволяют относить эти материалы к классу блок-сополимеров. В этом случае жесткие блоки представляют собой единичные мономерные звенья. [26]
В активном центре содержатся остатки лизииа, тирозина и ци-стеина. Третичная структура характеризуется наличием доменов с мол. [27]
В CDWp-фазе симметрия С3у поверхности ( 111) понижена до простой зеркальной симметрии. При случайном расположении подобных доменов кинетические свойства системы будут изотропны. Одноосная деформация делает предпочтительным наличие доменов с одним типом волн зарядовой плотности, что приведет к анизотропии. [28]
Другая проблема состоит в неопределенности физического смысла температуры Т0, выше которой начинает сказываться вклад второго компонента в податливость сополимера. Хотя довольно очевидно, что этот эффект связан с наличием доменов полистирола, остается неясным, почему в Kraton 102 он обнаруживается при температуре 15 - 16 С. [29]
 |
Сдвигающий регистр на ЭЦД.| Сдвигающий регистр на ЭПД. [30] |
Страницы: 1 2 3