Cтраница 1
![]() |
Энергетические спектры примесных пол vii ро пол i. 11 ков. [1] |
Наличие дырок в заполненной зоне делает возможным при действии электрического поля движение электронов и в ней, так как, ускоряясь, электроны из более нижних уровней могут попадать в эти дырки. [2]
Наличие дырок - вакантных состояний означает для других электронов зоны возможность менять свое состояние, в конечном итоге - участвовать в механизме проводимости. [3]
Наличие дырок между псевдоядрами позволяет качественно объяснить механизм явления диффузии и внутреннего трения в жидкости и выяснить характер зависимости коэффициентов диффузии и вязкости от температуры. [4]
Наличие дырок между псевдоядрами позволяет качественно объяснить механизм явления диффузии и внутреннего трения в жидкости и выяснить характер зависимости коэффициента диффузии и вязкости от температуры. [5]
Наличие дырок - вакантных состояний означает для других электронов зоны возможность менять свое состояние, в конечном итоге - участвовать в механизме проводимости. [6]
Наличие дырок в решетке кристалла приводит к другой возможности переноса электрических зарядов. Связанный электрон, соседний с дыркой, может под действием электрического поля переместиться и занять дырку. При этом восстановление одной связи приводит к разрушению соседней с ней и появлению новой дырки. Таким образом, под действием электрическото поля дырки перемещаются в направлении, противоположном движению электронов. Проводимость, обусловленная перемещением дырок, называется дырочной или проводимостью типа р ( по-латински positivus - положительный. Характерной особенностью дырочной проводимости по сравнению с электронной является то, что весь путь в кристалле проходит не один свободный электрон, а большое количество электронов, поочередно замещающих друг друга при переходе от одной дырки к последующей. Обычно в материалах оба вида проводимостей существуют одновременно. Такая проводимость материалов называется собственной. [7]
Наличие дырки означает, что один из ионов R превращен в нейтральный атом R. Этими свободными дырками обеспечивается так называемая дырочная проводимость кристалла. [8]
Наличие дырки означает, что один из ионов R - превращен в нейтральный атом R. Этими свободными дырками обеспечивается так называемая дырочная проводимость кристалла. Дырка может трактоваться как свободная отрицательная валентность, поскольку наличие дырки означает, что у одного из ионов R - один электрон изъят из замкнутой оболочки. [9]
Наличие дырки означает, что у одного из ионов С1 - один электрон изъят из замкнутой оболочки. Такая дырка, следовательно, может трактоваться как свободная отрицательная валентность. [10]
Наличие дырок между псевдоядрами позволяет качественно объяснить механизм явления диффузии и внутреннего трения в жидкости и выяснить характер зависимости коэффициента диффузии и вязкости от температуры. [11]
![]() |
Основные показатели пленки ПП. [12] |
Из-за наличия дырок в пленках малых толщин в конденсаторах применяют пленки толщиной 10 - 20 мкм. [13]
О наличии дырок в расплавленных электролитах можно судить [7] по объемному расширению, наблюдаемому при плавлении, а также по результатам структурных рентгенографических измерений, согласно которым межионное расстояние в расплаве практически идентично соответствующему расстоянию в твердом веществе. Более детальное рассмотрение структуры расплавов возможно при наличии данных о числе, размере и распределении этих дырок. Бокрис и Ричарде [7] показали, что расчеты, основанные на дырочной теории расплавленных электролитов, дают ценную информацию об этих жидкостях. [14]
Заметим, что наличие дырки в кристалле MR означает, как правило, наличие нейтрального атома R среди ионов R - решетки. Поскольку ион R - обладает замкнутой электронной оболочкой, а наличие дырки означает, что один электрон изъят из этой замкнутой оболочки, то дырка в решетке может трактоваться, следовательно, как отрицательная свободная валентность. [15]