Наличие - межэлектродная емкость
Cтраница 1
Наличие межэлектродных емкостей неизбежно приводит к прохождению управляющих сигналов на выход ключа и дополнительно снижает его быстродействие. Реальная длительность переходных процессов в переключательных схемах на МОП-транзисторах колеблется от микросекунды до десятков наносекунд. [1]
 |
Схема электронного реле. [2] |
Недостатком триода является наличие значительной межэлектродной емкости в системе анод - сетка. От этого недостатка свободен тетрод, в котором между управляющей сеткой и анодом помещена дополнительная экранирующая сетка. [3]
Спад амплитудно-частотной характеристики УПТ на высоких частотах обусловлен наличием межэлектродных емкостей ламп и транзисторов. Кроме того, емкости вводятся в схему усилителя для предотвращения самовозбуждения. [4]
 |
Зависимость коэффициента усиления по мощности от частоты для обычного высокочастотного плоскостного триода типа р-п - р. [5] |
Известно, что паразитная генерация может возникать в ламповых усилителях из-за наличия достаточно больших межэлектродных емкостей и индуктивностей выводов, создающих положительную обратную связь. Такие же явления могут наблюдаться и в кристаллических усилителях ( плоскостных и точечноконтактных) с большим коэффициентом усиления. Однако, влияние паразитных элементов, вызывающих эту генерацию, будет различно у плоскостных и у точечноконтактных триодов из-за разных фазовых соотношений у этих двух типов триодов. Методы нейтрализации для подавления этих явлений описаны в параграфе 10 настоящей главы. [6]
Кроме диффузионной задержки, имеет место также задержка, связанная с наличием паразитных межэлектродных емкостей в транзисторе. [7]
 |
Основные этапы изготовления КМДП ИС с алюминиевым затвором. [8] |
Основным недостатком ИС с алюминиевым затвором является наличие больших межэлектродных емкостей Сзи и Сзс, снижающих общее быстродействие ИС. Эти емкости образуются в результате перекрытия затвором областей истока и стока. [9]
Это происходит при неправильном выборе режима лампы по постоянному току и чрезмерно больших амплитудах входного сигнала. При работе лампы в области отрицательных напряжений на сетке эта составляющая тока отсутствует; t e - емкостная составляющая определяемая наличием межэлектродных емкостей; if - составляющая, имеющая ионный характер и возникающая в результате ионизации остатков газа. Ее создают положительные ионы газа, притягиваемые отрицательно заряженной сеткой. [10]
 |
Зависимости времени выборки ЗУПВ от режима работы. [11] |
В динамических ЗЭ существует паразитный эффект, связанный с тем, что области исток - подложка - сток любого МДП транзистора одновременно образуют структуру паразитного биполярного транзистора. В статическом состоянии 1все p - n - переходы смещены в обратном направлении, и паразитный биполярный транзистор закрыт. В динамическом режиме наличие межэлектродной емкости связи приводит к тому, что на обратном фронте тактового импульса эмиттерный р-я-переход получает прямое смещение и паразитный биполярный транзистор открывается, образуя цепь для разряда информащгон-ного конденсатора, подключенного к коллектору биполярного транзистора. Результатом этого является уменьшение уровня логической единицы ( частичное уменьшение заряда информационного конденсатора), приводящее к снижению быстродействия ЗЭ. [12]
 |
Кривая ток - напряжение. [13] |
Остаточный ток при этом объясняют разрядом ионов с большим энергетическим уровнем [ 5, стр. Явление деполяризации усиливает остаточный ток, в расплавах значительно больший, чем в водных растворах. Это, по-видимому, объясняется действием высоких температур, которые способствуют химическим реакциям, вызывающим деполяризацию. Остаточный ток, обусловленный разрядом различных ионов, называют фарадеевским. Нефарадеевские остаточные токи возникают благодаря наличию межэлектродной емкости. [14]
Из других вопросов физики электронных ламп, которые необходимо учитывать при расчете и конструировании этих ламп, немаловажное значение имеет вопрос о распределении температуры в различных точках стеклянной оболочки лампы при нормальном режиме ее эксплуатации. В случае генераторных ламп, предназначенных для генерации колебаний высокой частоты и большой мощности, существенное значение могут приобрести диэлектрические потери в стеклянной оболочке лампы. Эти потери иногда приводят к настолько сильному разогреву стекла колбы, что лампа погибает из-за размягчения стекла. При применении электронных ламп и других электровакуумных приборов на сверхвысоких частотах тот промежуток времени, за который электрон проходит путь между электродами и который называют временем пролета, становится соизмеримым с периодом высокочастотного поля. Это нарушает условия работы прибора и, например, в генераторных лампах приводит, так же как и наличие межэлектродных емкостей, к предельному значению генерируемых частот. [15]
Страницы: 1