Наличие - барьерная емкость
Cтраница 1
Наличие барьерной емкости Ск Се коллекторного перехода, определяемой равенством (2.1) и подключенной параллельно активному сопротивлению гк, приводит к увеличению проводимости этого параллельного соединения. Поэтому с ростом частоты переменного сигнала снижается доля переменного тока / к, поступающего во внешнюю нагрузку ( снижается hzie) - Таким образом, конечная скорость движения неосновных носителей через базу и емкость Ск вызывает наличие фазовых сдвигов между токами на входе и выходе транзистора, что обусловливает комплексный характер коэффициента передачи тока Й216 и снижение его модуля с ростом частоты. [1]
Наличие барьерной емкости Сд р-п перехода у диода с накоплением заряда приводит к снижению коэффициента усиления на высоких частотах. [2]
Инерционность транзистора объясняется наличием барьерных емкостей эмиттерного С. [3]
Частотный предел ТД обусловлен наличием барьерной емкости 1ерехода и сопротивления потерь Rsr - Эти параметры присущи лк-юму диоду, и поэтому создание более высокочастотных образцов водится в основном к разработке наиболее совершенной конструк-ши и поискам соответствующих полупроводниковых материалов, юзволяющих свести к минимуму указанные величины. [4]
Пунктирной областью 2 объединены элементы, учитывающие наличие барьерной емкости p - n - перехода в закрытом состоянии и сопротивление материала коллектора. [5]
Дейстивтельно, если туннельный диод возбудился из-за наличия барьерной емкости и индуктивности выводов ( рис. 1.66) на частоте ( ор, то его нельзя использовать в качестве полезного элемента на более высоких, частотах. [6]
Таким образом, работа транзистора на переменном сигнале определяется как прохождением активных токов, аналогичных по физической природе постоянным токам, так и прохождением емкостных токов, связанных с наличием барьерных емкостей и накоплением зарядов в базе. На все эти явления оказывают влияние времена пролета носителей заряда. Следовательно, для малого переменного сигнала транзистор представляет собой довольно сложный активный элемент электрической схемы, параметры которого оказываются комплексными и зависящими от частоты. [7]
 |
Искажение сигнала при прохождении носителей через область объемного заряда коллекторного перехода. [8] |
Таким образом, работа транзистора на переменном сигнале определяется как прохождением активных токов, аналогичных по физической природе постоянным токам, так и прохождением емкостных токов, связанных с наличием барьерных емкостей и накоплением зарядов в базе. На все эти явления оказывают влияние времена пролета носителей. Следовательно, для малого переменного сигнала транзистор представляет собой довольно сложный активный элемент электрической схемы; параметры которого оказываются комплексными и зависящими от частоты. [9]
Таким образом, работа транзистора на переменном сигнале определяется как прохождением активных токов, аналогичных по физической природе постоянным токам, так и прохождением емкостных токов, связанных с наличием барьерных емкостей и накоплением зарядов в базе. На все эти явления оказывают влияние времена пролета носителей. Следовательно, для малого переменного сигнала транзистор представляет собой довольно сложный активный элемент электрической схемы, параметры которого оказываются комплексными и зависящими от частоты. [10]
Инерционность, связанная с накоплением и рассасыванием зарядов, в стабилитронах не имеет места, так как при обратном смещении не, происходит инжекции неосновных носителей. Поэтому их инерционные свойства связаны с наличием барьерной емкости перехода. [11]
 |
Моделирующая схема транзистора для СВЧ области.| Модификация Т - образных НЧ схем, учитывающая емкость коллекторного перехода. [12] |
Обе схемы на рис. 2 - 52 содержат только частотно-независимые элементы и не всегда удовлетворительно отражают свойства транзистора даже в диапазоне звуковых частот. Уже на частотах, составляющих единицы килогерц, может сказываться наличие барьерной емкости С коллекторного р-п перехода. [13]
Включение тиристора путем быстрого увеличения напряжения на нем. При быстром нарастании напряжения на тиристоре через него будет проходить емкостный ток, обусловленный наличием барьерных емкостей р-п-переходов. [14]
При быстром нарастании основного напряжения на тиристоре через него будет проходить емкостный ток, обусловленный наличием барьерных емкостей коллекторного и эмиттерных переходов. [15]
Страницы: 1 2