Cтраница 1
Амплитуда обратного тока, в свою очередь, зависит от обратного напряжения, поданного на диод при переключении, и от сопротивления базы при условии, что диод работает в схеме с идеальным генератором напряжения. В реальных условиях амплитуда обратного тока определяется ЭДС генератора обратного напряжения и суммой сопротивлений базы диода и внешней цепи. [1]
Амплитуда обратного тока, в свою очередь, зависит от обратного напряжения, поданного на диод при переключении, и от сопротивления базы при условии, что диод работает в схеме с идеальным генератором напряжения. [2]
![]() |
Структурная схема ( а, распределение неосновных носителей перед выключением ( б, графики тока и напряжения при выключении ( в планарного тиристора с высокоомным. [3] |
Увеличение амплитуды обратного тока не приводит к заметному уменьшению времени выключения. [4]
При этом следует ограничить амплитуду обратного тока, замыкающегося через тиристор. [5]
![]() |
Кремниевые точечные диоды.| Вольтамперная хаса-ктерист ика туннельного диода. [6] |
Переходные процессы оцениваются по величине амплитуды обратного тока / ймакс и времени установления обратного тока на заданном уровне. Часто за этот уровень принимают 1 ма. Время восстановления колеблется от нескольких наносекунд до нескольких микросекунд. [7]
![]() |
Зависимость времени восстановления тиристоров серии С55 от прямого тока. [8] |
Указанные максимальные допустимые значения обратного напряжения и амплитуды обратного тока не должны быть превышены. Во время интервала запирания импульс обратного тока должен быть достаточно велик, чтобы обеспечить возможность восстановления запирающей способности. Величина обратного напряжения во время восстановления запирающих свойств оказывает соответствующее влияние как на время восстановления, так и на допустимую скорость нарастания повторно прикладываемого прямого напряжения. Амплитудное значение обратного напряжения 2 в, которое имеет место при заводских испытаниях, взято с запасом, что обеспечивает необходимые характеристики тиристоров при более высоких обратных напряжениях. [9]
Идеальным принимается тиристор, обладающий нулевыми временем включения и амплитудой обратного тока, а также отсутствием рассеяния этих параметров. [10]
Допускается кратковременное превышение установленного предельного обратного напряжения, при этом амплитуда перегрузочного обратного тока не должна превышать допустимых значений, а фронт импульса тока должен быть не менее 0 5 мкс. При повторяющихся перегрузках значение средней перегрузочной мощности не должно превышать 2 Вт при температуре корпуса 358 К и 0 4 Вт при 403 К. [11]
Из (2.13) видно, что длительность фазы сохранения тем больше, чем меньше амплитуда обратного тока. [12]
![]() |
Осциллограмма тока. [13] |
Основной причиной неравномерного деления обратных напряжений при увеличении демпфирующего сопротивления R является значительный разброс в величинах амплитуды обратного тока при выключении тиристоров и накопленного заряда тиристоров. Это связано с тем, что величины обратного тока и накопленного заряда конкретного тиристора практически не зависят от демпфирующего сопротивления. Увеличение же последнего вызывает увеличение наравномерности деления обратных напряжений. Анализ осциллограмм тока в демпфирующей цепи и обратного напряжения на вентилях ( рис. 2.22) позволяет определить причины этого явления. В начальной части процесса выключения тиристора скачок обратного напряжения равен произведению обратного тока и сопротивления R. В результате этого с ростом сопротивления демпфирующей цепи растет и скачок в значении обратного напряжения, а разброс в значениях обратных токов вентилей вызывает соответствующий разброс в амплитудах обратных напряжений. Экспериментальный подбор тиристоров показал, что минимальная величина разброса обратных напряжений в процессе выключения получается при последовательном включении тиристоров с близкими значениями прямого падения напряжения. [14]
С ростом амплитуды запирающего импульса длительности ( г и / 2 уменьшаются, а заряд переключения и амплитуда обратного тока возрастают. Особенно сильное увеличение величин Qn и / в наблюдается у точечных диодов, для которых оно почти прямо пропорционально росту амплитуды запирающего импульса ыимп. [15]